Diodes推出运行温度低于大型封装器件MOSFET
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256oC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。
因此，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。Diodes 率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。
例如，额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ，比同类解决方案低一半以上，有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V 的DMN2300UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值 (ESD Rating)，分别为2kV和3kV。
因此，该MOSFET的运行温度更低，并可节省空间，加上离板高度仅为0.4毫米，尤其适用于超薄便携式消费电子产品，包括平板电脑及智能手机。Diodes 率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件，这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。
例如，额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ，比同类解决方案低一半以上，有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V 的DMN2300UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值 (ESD Rating)，分别为2kV和3kV。