上海蓝光推出新型无掩膜侧向外延技术

上海蓝光推出新型无掩膜侧向外延技术

上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高LED光提取效率。

　据上海蓝光郝茂盛博士介绍，该公司是大陆首家从事GaN基LED外延片、芯片研发和产业化生产的企业，位于中国国家“863”计划光电子领域科技成果转化基地。至2010年底，上海本部公司拥有MOCVD生产线20条，年产蓝绿LED芯片100亿颗。同时，该公司安徽生产基地计划上200条MOCVD生产线，一期建50条，二期建150条。

　该公司主要产品有氮化镓基高亮度蓝、绿光外延片及芯片。其中大功率芯片(45*45 mil)发光效率达到120lm/w @ 350mA，量产水平已达100 lm/w @ 350mA。小功率芯片(10*23 mil)的量产水平已达7lm @ 20mA。除此外，郝博士还介绍了高端技术芯片，如PSS技术，外延技术，芯片工艺，薄膜垂直结构技术及界面粗化技术等。