芯片制程迈向28纳米　封装技术大战再起

芯片制程迈向28纳米　封装技术大战再起

随著芯片制程逐渐微缩到28纳米，在芯片密度更高及成本降低压力下，铜柱凸块(Copper Pillar Bump)技术正逐渐取代锡铅凸块，成为覆晶主流技术，封装技术变革大战再度开打。由于一线封装大厂包括艾克尔(Amkor)、日月光、星科金朋(STATS ChipPAC)、矽品等皆具备铜柱凸块技术能力，业界预期2012年可望放量生产，并跃升技术主流。

芯片制程逐渐自40纳米往28纳米微缩，芯片体积变小，对空间、密度要求更高，加上成本压力有增无减，促使芯片厂纷改采铜柱凸块技术，封测相关业者表示，主要通讯芯片大厂如德仪(TI)、高通(Qualcomm)、迈威尔(Marvell)、博通(Broadcom)、英飞凌(Infineon)纷跟进采用，目前主要封装大厂皆具备铜柱凸块技术能力，其中以艾克尔因与德仪合作OMAP4平台，进展脚步最快，其次为日月光、星科金朋和矽品。

事实上，以英特尔(Intel)为首的IC芯片制造业，已开始在特定产品采用铜柱凸块覆晶技术，初期主要用在PC相关芯片，然近期通讯芯片产品采用铜柱凸块情况益趋增加，象是德仪基频芯片平台OMAP4便采用铜柱凸块技术。封测业者表示，由于智能型手机讲求短薄、功能多元及电力持久等特性，为预留较大电池空间，不仅需提高芯片密度，芯片厚度亦必须变薄，使得铜柱凸块成为较佳的覆晶植球技术。

面对封装技术演变，日月光在铜打线制程脚步相对领先，但在铜柱凸块落后艾克尔，近期已开始送样认证，根据客户产品蓝图规画，随著28纳米制程在2012年跃升主流，将推升铜柱凸块需求大幅成长。

对于以逻辑IC为主的封装厂，覆晶植球技术自锡铅凸块转为铜柱凸块，封装厂仍可沿用旧机台，只需更换电镀液即可，转换成本不高，但对于以金凸块为主的厂商，转换技术可能较不易，以颀邦为例，由于金价高涨，降低成本不易，其虽拥有铜柱凸块技术能力，但由于金凸块和铜柱凸块制程不同，必须投资新产线，以投资1万片12寸晶圆所需铜柱凸块制程产线而言，全线资本支出恐达新台币10亿~20亿元，所费不赀。

在英特尔促使下，PC相关元件已率先采用铜柱凸块，估计自2010~2016年铜柱凸块市场复合成长率为19.68%(研究机构Yole Developpement资料)，2012年铜柱凸块技术将取代锡铅凸块跃升技术主流，预期到2016年将有一半覆晶植球晶圆采用铜柱凸块技术。