MLU技术开启磁性存储器中实现类NAND存储器可能

MLU技术开启磁性存储器中实现类NAND存储器可能

 磁性随机存储器(MRAM)供应商CrocusTechnology声称已开发出一种称之为磁性逻辑单元(MagneticLogicUnit,MLU)的技术，它可匹配其热辅助磁性转换(TAS)技术，除了储存以外还可用于存储器存取，开启了使用在MRAM中实现类NAND(NAND-like)存储器以及搜寻存储器的可能性。

    藉由开启数据储存、安全商业及通讯应用、网路处理以及汽车和工业等应用，Crocus声称，此一创新技术将可拓展磁性技术的市场。然而，该公司并未透露何时可量产或将推出何种容量的存储器。

    在高密度存储器应用中，MLU开启了一条可在磁性存储器中实现类NAND配置的道路，MLUNAND存储器可实现比传统磁性存储器高出2~4倍的密度，而且还具有完整的随机存取优势，Crocus表示。

    Crocus表示，其MLU技术可藉由设定一个通常固定于MRAM单元中的参考层磁化来整合三种模式。

    Crocus的MLUXOR，称之为地匹配(Match-In-Place)，它实现了比较和加密功能，可防止智能卡、身份证、SIM卡、近距离无线通讯(NFC)遭到篡改。Match-In-Place还实现了搜寻和比较功能所需的网路路由应用，可以实现比传统CMOS硬体搜寻处理器更高出50倍的密度。此外，所有配置的MLU都能在高达200℃的温度中正常运作，这使其成为汽车和工业电子产品的理想应用。

    “在许多独立和嵌入式存储器产品中，MLU具有取代SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP的潜力，”Crocus公司执行主席BertrandCambou说。“因为MLU的NOR、NAND和XOR功能是在单一晶片制程中使用不同的设计架构，他们能够轻易地症合到系统单晶片(SoC)中。”

    MLU与Crocus目前的晶圆制程相容，Crocus正计划采用TowerSemiconductor的130nm制程来量产基于MLU的产产品，另外，其俄罗斯子公司CrocusNanoMLU也正计划使用90/65/45以及更小的几何尺寸。