富士通半导体推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM

来源:华强电子网 作者:—— 时间:2011-07-19 10:42

719富士通半导体(上海)有限公司宣布推出基于0.18 μm 技术的全新 SPI FRAM产品家族,包括MB85RS256AMB85RS128AMB85RS64A3个型号,并从即日起开始为客户提供样片。

 

 

FRAM Ferroelectric Random Access Memory 铁电随机存储器)将SRAM 的快写与存的非易失性优势集中在一芯片。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3个型号:MB85RS256AMB85RS128AMB85RS64A,分代表256Kbit128Kbit64Kbit三个密度3个芯片的工作电压3.0 3.6V写周期100亿次,数据保存在55°C的条件下可达10年,且其工作率大幅提高到最大25MHz由于FRAM品在写无需电压器,非常适合低功率用。该产品提供具有准存器引脚配置的8引脚封装,完全兼容E2PROM芯片。

 



 

FRAM独立存芯片可广泛用于量、工厂自用以及需要数据采集、高速写入和耐久性的行对客户FRAM不仅可以取代所有使用池支持的解决方案,同时也是一款绿色保的。除 SPI FRAM家族之外,富士通半导体提供I2C和并行口的FRAM独立芯片,密度16Kbit4Mbit不等。此外,富士通还计步扩FRAM合以足市场需求。凭借领先的技术开发和完善的制造工艺,富士通半导体不断优化产品设计,并加强与工厂间的密切合作,为向市场稳定地提供高质量产品打下了基础。

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