扩增SiC功率半导体产线 富士电机增大生产规模

扩增SiC功率半导体产线 富士电机增大生产规模

富士电机于2011年会计年度（2010年4月~2011年3月）对功率半导体的投资额高达185亿日圆（约2.4亿美元），约占该公司总投资额的一半。

士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线，此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线，未来预计在2012年春季开始量产。

富士电机将在近期内决定生产规模，外界预估投资额将可达到数10亿日圆，此产线利用二极管及碳化硅制作出功率半导体，并整合绝缘栅双极晶体管，以模块方式提供给工业用机器。
 
在此之前，富士电机已然与日本产业技术综合研究所合作于该研究所的茨城事业所生产碳化硅功率半导体的试作品，今后透过自家公厂产线，富士电机计划正式进行量产。

为因应未来市场需求，日本多家厂商已然陆续整顿生产体制，先有Rohm于2010年，后有三菱电机于2011年初量产碳化硅功率半导体。海外方面也有德国InfineonTechnologies、意法半导体（STMicroelectronics）等公司，投入碳化硅功率半导体市场。