三星电子开发新一代LPDDR3移动DRAM技术

三星电子开发新一代LPDDR3移动DRAM技术

       日前,本报记者获悉,三星电子近期加快了产品技术研发步伐,先是在行业首次研发出了30纳米级(1纳米为10亿分之一米)4Gb (gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)移动DRAM技术,接着是开发出基于20纳米级(一纳米为10亿分之一米)64GbNAND Flash平台的64GB(gigabyte)高性能内存存储卡，产品更新换代速度在行业中首屈一指, 这意味着三星电子在抢占移动终端市场方面将进一步有所突破。

       开发新一代LPDDR3移动DRAM技术

       关于新一代LPDDR3移动DRAM技术,三星电子表示,这是继去年12月在电子行业首次开发30纳米级4Gb LPDDR2移动DRAM之后，不到九个月又成功开发出使用30纳米级工艺的4Gb LPDDR3移动DRAM技术的新一代产品。据悉,三星电子计划将从今年第四季度开始，为移动终端生产企业提供新一代LPDDR3移动DRAM样品，并从明年开始,将新产品用于智能手机和平板电脑等各种高性能移动终端器上。

       根据记者的了解, 4Gb LPDDR3的启动速度比现有的4Gb LPDDR2(800Mbps)快1.5倍, 数据传输量最高能够提高到12.8GB/每秒。业内人士分析,随着数据传送速度的加快, 高性能移动终端器的最高存储容量也从2段积层4Gb LPDDR2的1GB(8Gb)扩大到4段积层4Gb LPDDR3的2GB(16Gb)，市场上大容量存储器产品比重随之有望快速增加。

       三星电子存储事业部战略营销部洪完勋副社长表示，“继今年3月在电子行业首次对30纳米级4Gb LPDDR2移动DRAM投入量产之后，这次新开发出的新一代LPDDR3移动DRAM给客户提供了行业最高水平的绿色存储器”，洪完勋副社长同时表示,“为了能够让我们的企业客户及时推出高性能新产品，今后，三星电子将切实加强技术合作，持续扩大新一代移动存储器市场”。

       根据市场调查机构的报告资料，预计从2013年开始,LPDDR3移动DRAM市场趋于白热化。出乎意料的是,三星电子从2012年开始提前一年就对4Gb LPDDR3产品投入量产，从而将促使 Premium Mobile DRAM市场以更快的速度成长发展。

       开发全球最快速度的内存存储卡

       此外,三星推出的64GB 内存存储卡(eMMC)是目前速度最快的常用内存存储卡,此产品也是针对移动终端市场而研发。记者了解到,该产品厚度仅为1.4mm、重量0.6g，却能存16000多首MP3歌曲。因此有业内专家表示,基于此优势,该产品在智能手机、平板电脑等高性能移动终端器上的使用频率将会日趋增多。

       据了解,三星电子此次开发的20纳米级64GB eMMC产品，是一个符合最高性能高端移动终端器的“超高速”解决方案,在随机读取速度上实现了400 IOPS(Input/Output per Second) 的最快速度，比起原有的30纳米级64GB eMMC产品的100IOPS速度快四倍。同时，在连续读取速度和写入速度上实现了80MB/s、40MB/s,比原有的高性能外存存储器卡(24MB/s、12MB/s)快三倍,从而提高了产品的竞争力。

       资料显示,自从2010年1月开始，三星电子在行业首次量产的30纳米级64GB eMMC在开拓高容量内存存储卡市场之后，又在去年下半年量产了20纳米级64GB eMMC,三星电子计划在今年内将高性能20纳米级64GB eMMC量产生产率提高到60%左右，采取进一步强化高端产品阵容的战略。

       三星电子存储事业部战略营销部金明镐常务称：“今年在业界量产的高性能20纳米级64GB eMMC，进一步扩大了高端内存存储卡市场，三星电子今后也将适时量产出符合移动终端器企业要求的新一代高端eMMC产品，在移动存储(storage)市场上继续加强竞争优势。”

       三星电子计划在2012年使用JEDEC eMMC 4.5标准，量产比20纳米级64GB eMMC产品性能提高两倍的大容量存储器，创建一个最高性能的高端内存存储卡市场，扩展NAND Flash市场范围。