三星公布新双核芯片 NAND闪存和传感器技术

Exynos4212双核心处理器

       首先是三星最新自主研发的芯片——Exynos4212双核心处理器，采用新32nm工艺打造，主频1.2GHz提升至1.5GHz，目前该处理器应运用在三星最新的旗舰手机GalaxySIILTE上。据测试表明，Exynos4212较上一代产品的3D渲染性能提升近50%左右。

       三星表示，今年秋季开始，新的Exynos4212双核心处理器已经进行抽样测试，除了目前已在加拿大和韩国最新发布的高端手机GalaxySIILTE采用该处理器之外，其余他部分新品也将采用该处理器，比如GalaxySIIHDLTE。如不出意外的话，10月11日发布的“NexusPrime”以及三星的新平板也将分有Exynos4212芯片版本。    

64GBNAND闪存芯片

       三星还介绍了公司最新更快的嵌入式64GBNAND闪存芯片，该芯片将普遍运用于智能手机和平板电脑。据介绍，新闪存芯片采用更小的20nm工艺和DDR2内存技术标准，拥有更高效率的核心设计和更高的带宽，读取和写入速度分别高达每秒80MB和40MB，较三星上早期产品性能提升60％以上。

       遗憾的是，三星并没有透露新款64GBNAND闪存芯片将于何时正式出货，不过三星称2012年智能手机和平板电脑的运行内存（RAM）将提升到更快的2GB。    

新传感器技术

       此外，三星表示智能手机和平板电脑的摄像头将前进一个台阶，并公布了最新型号为“SK52P1”的CMOS传感器。该传感器是一款1.34微米级别的背照式（BSI）图像传感器，像素高达1600万像素，帮助高端智能手机在光线较暗的地方拍下高画质照片。如果处理器性能足够强劲，即便在最大分辨率的情况下，830W像素的摄像头也依然支持以每秒30帧或高达60帧的帧率进行拍摄。

       三星同时还介绍了另一个款1200万像素型号为“SK58AA”的传感器。三星称，SK58AA的强大之处在于，该传感器完全可以运用于手机或平板的前置摄像头之上。而且SK58AA采用了1.4微米级别的背照式感光元件，支持每秒30帧的720p视频录制，相当于时下流行智能手机主摄像头的水平。不过遗憾的是，SK58AA传感器厚度达到了2.8mm，对于尺寸尺度要求较高的的手机来说，该传感器将难以采用。

       三星称，目前两款传感器仍在样品测试阶段，但1600万像素的SK52P1已经做好准备，将于今年11月份开始量产。

       三星并没有公布这三个新技术产品的主要客户和订单情况，不过除了三星自身打头阵之外，苹果依然被公认为其最重要的客户之一，对象包括IOS设备和Mac的SSD硬盘。据此前传闻称，苹果已经将部分生产线撤离三星，但是否全部撤离将取决于三星本身。