2015年前智能型手机DRAM需求上升700%

        根据调研机构 IHS iSuppli，今年应用在智能型手机上的 DRAM 芯片出货量将有惊人的 3 位数成长，超过整体 DRAM 市场的成长幅度。

        以 1GB 等量单位估算，用在智能型手机的 DRAM 出货量今年预计上升至 17 亿个单位，较去年 6.72 亿个单位成长 157.2%。到 2015 年之前，出货量将上升至 139 亿个单位，较今年成长 700%。

        IHS 记忆芯片需求预测部门的分析师 Clifford Leimbach 表示，智能型手机内使用的 DRAM 正快速上升，系因这些是高记亿密度的芯片，且设备销售量也不断上升所致。

        今年 DRAM 在智能型手机的成长惊人，与此相较，整体 DRAM 市场 (主要为对PC事业的销售量) 的出货量成长仅50%就失色许多。这两者的成长差距解释了 DRAM 厂商积极竞争手机 DRAM 市场的原因。虽然 DRAM 芯片也用于平板计算机和计算机等设备，但智能型手机的 DRAM 市场仍会持续成长。

        整体 DRAM 使用量中，今年智能型手机的使用率将从去年的 4.4% 上升至 7.6%，明年提高至 10.6%，2013 年达 13.4%，2014 年达 14.9%，下一年达 16.0%。

        至少近来发行的 4 款智能型手机，经由 IHS iSuppli 拆解内部后，发现这些设备都搭载更大量的 DRAM 芯片。

        Sony Ericsson 的 Xperia PLAY 搭载 512MB 的 DRAM 芯片，而三星电子的 Galaxy Indulge 搭载 576MB 的 DRAM 芯片，苹果 iPhone 4 的 DRAM 芯片达 544MB，台湾宏达电的 Thunderbolt 手机则配备最高等级 768MB 的 DRAM 芯片。

        这 4 款智能型手机的内存配置均使用离散 DRAM 芯片，以及含 NAND 快闪记忆芯片的标准方式。其他设备的内存配置方式包括使用多芯片封装 (MCP)，将 DRAM 和 NAND 等不同的内存整合成单一芯片等。

        这些手机厂在优化表现性能时，仍积极维持整体成本持平。因此这 4 款手机的材料费用表 (BOM) 中，内存费用比例平均在 15.7%，唯一超过这比例的只有 iPhone，iPhone 的内存成本占整体 BOM 表高达 22.1%。

        但即使手机厂努力缩限内存成本，但智能型手机的 DRAM 平均密度仍会逐渐提升，预期明年智能型手机 DRAM 平均密度就会提高至 715MB，较今年 461MB 的水平提高 55%，且短期看来，成长无可限量。