英飞凌展出65纳米嵌入式闪存微控制器

英飞凌展出65纳米嵌入式闪存微控制器

       2011年11月18日，英飞凌科技宣布推出首款面向芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存（eFlash）微控制器（MCU）样品。这是英飞凌和台积电（TSMC）于2009年开始共同开发及生产65 纳米 eFlash MCU的结果。 

       首款批量生产的产品将是面向SIM卡应用的安全控制器。英飞凌计划将于2012年下半年进行工艺和产品认证。由于与以往的工艺相比大幅度缩小了芯片尺寸，从而提高了效率，在竞争激烈的安全IC市场，65纳米工艺意味着巨大的竞争优势。此外，与200毫米晶圆相比，基于300毫米晶圆的生产将进一步提高生产力。

       英飞凌科技股份公司芯片卡和安全IC业务副总裁Pantelis Haidas 表示：“能够展出我们与台积电合作开发65纳米 eFlash工艺的首批成功，我们倍感自豪。我们为将尖端的300毫米晶圆用于符合信息技术安全评估通用标准的生产环境创造了条件。因此，我们为在今后几年中推出多种芯片卡和安全应用奠定了坚实的基础。”

       台积电全球销售和营销高级副总裁陈俊生表示：“英飞凌是多个技术和应用领域的公认领袖。它们在嵌入式闪存开发方面享誉全球，并且凭借自身的产品质量和创新技术赢得了芯片卡行业的尊重。能够继续与英飞凌在产品开发方面进行密切的合作并形成长期稳定的生产关系，我们感到十分自豪。” 面向芯片卡和安全应用的65纳米eFlash工艺，将支持英飞凌专注于定制安全的创新。这种创新的宗旨是面向智能卡等应用，以最佳的性价比，实现适当的安全级别。