力晶与瑞萨合作90纳米驱动芯片量产

力晶与瑞萨合作90纳米驱动芯片量产

       内存厂商力晶受到标准型DRAM占营收比重不断降低影响，11月营收20.26亿元，创下2009年7月以来新低。尽管营收表现不佳，不过力晶正式宣布，宣布与日本瑞萨合作之90纳米LCD驱动芯片高压制程进入量产，持续朝转型之路迈进。

       力晶日前宣布淡出PC DRAM产业之后，积极迈开业务转型步伐，该公司发言人谭仲民指出，代工事业的制程技术获得重大进展，与瑞萨电子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90纳米驱动芯片高压制程，已开发成功并进入量产，此技术承接原瑞萨电子之制程技术，将广泛应用于行动装置的液晶面版驱动芯片上面。

       力晶是国内第一家采用12吋厂量产90纳米驱动芯片的半导体公司，并采用材料成本较低的铝制程。透过新一代90纳米制程技术，力晶所生产的驱动芯片，可配置于铝制程中的最小静态随机存取内存，在相同的芯片面积下，较目前主流的130纳米制程内嵌内存容量可增为两倍，未来随着智能型手机屏幕尺寸变大、分辨率提升的市场趋势，终端客户可在充分有效控制成本的情况下，提供给更高阶的智能型手机使用。

       谭仲民表示，Renesas SP Drivers Inc.一直是驱动相关技术领域的先驱，新一代的技术更配合环保省电的要求，采用低电压运作的设计，再加上制程技术与内存领域的面积微缩技术，可以进一步达到内存容量倍增及低耗电量的优势。

       谭仲民强调，公司12吋厂90纳米驱动芯片技术，适合搭载大容量内存的高阶智能型手机，将可望带动该公司转型晶圆代工的业务增长。鉴于DRAM市场持续低迷，谭仲民指出，该公司已加大业务转型的力度，进一步减少标准型DRAM的投片量，有效降低该项产品所造成现金流失，同时也将使DRAM在力晶的产销比重显著减少；至于晶圆代工部门持续投入研发，随着代工业务的成长，将改善财务、营运体质。