Fairchild推出FDZ661PZ和FDZ663P MOSFET

华强电子网 2012-06-04 a:0:{}

       便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。

       这些器件采用最新的“微间距”薄型WL-CSP封装工艺，最大限度地减小线路板空间和RDS(ON)，并在微小外形尺寸封装中实现出色的散热特性。

特性和优势

       非常小的(0.8 x 0.8mm2)封装仅占0.64mm2的印刷线路板面积，比2mm x 2mm CSP封装的占位面积减小16%

       安装于印刷线路板时，达到低于0.4mm的超低侧高

       VGS低至-1.5V，低的RDS(ON) 值

       出色的散热特性(1平方英寸 2盎司铜焊盘上，93度C/W的RΘJA)

满足RoHS要求

适用于便携应用的电池管理和负载开关功能