“HVPE法生长GaN自支撑衬底项目”落户德泓

 　　以GaN（氮化镓）为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光LED、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。中国科学院上海微系统与信息技术研究所于广辉研究员经过8年的研究，共获得相关发明专利授权11项，另有3项已受理发明专利正在审查之中。多项技术处于国际先进水平。这些关键技术的应用，可以大大降低GaN衬底材料的成本。

 　　于广辉研究员告诉记者，此项研究成果一旦产业化，将大大降低大功率LED用GaN同质衬底成本，大大提高led照明产品的性价比和综合优势，对推广并普及LED照明产品具有深远的意义。据德泓光电王勤荣总经理介绍，今后两年，双方将合作开展“HVPE法生长GaN自支撑衬底项目”，组织项目的实施、推广，形成产业化。