应用厂商逼宫上游成本 硅基GaN成利器

【高工LED专稿】 近日，高工LED记者从Veeco官方网站获悉，2011年2月28日，韩国三星尖端技术研究所(SAIT) 已经选择Veeco的TurboDisc ®K465i™ MOCVD作为其硅基氮化镓功率器件研究的设备。

对此，Veeco的化合物半导体业务执行副总裁William J. Miller表示：“Veeco被选中作为三星SAIT研究硅氮化镓，并商品化这项技术用于大批量制造氮化镓功率器件，我们认为是巨大的战略研发上的胜利。”

LED应用厂商逼迫上游降低成本

野村证券最新研究报告将LED封装厂亿光(2393)的投资评等由「中立」降至「减码」。野村指出，亿光等LED封装厂将是今年液晶面板厂寻求降低生产成本的主要受害者；预估2011-12年营收成长率将仅有12-14%，毛利率预估将降至20-25%。

硅基氮化镓成为下一阶段降低LED成本的利器

3月25日，台积电(2330)旗下创投VTAF公司投资的美国Bridgelux(普瑞光电)正式对外宣布，该公司运用「氮化镓上硅」(GaN-On-Silicon)的LED技术，已达成每瓦135流明之效能。这代表Bridgelux在硅半导体基板LED技术方面，已成为业界第1家达到商品化等级效能的厂商。

根据Bridgelux研究，氮化镓上硅LED的效能，足以媲美12至24个月前推出的顶级蓝宝石基板LED。预估未来2至3年内，应用于商业市场的氮化镓上硅LED产品，就能上市销售。

同时Bridgelux还认为，若能在直径更大、成本较低廉的硅晶圆上生成氮化镓，并采用与现代半导体生产线相容的制程，则LED磊晶产品之成本，可望将较现有制程有效降低75%。