欧司朗首批硅上LED芯片有望两年内投放市场
来源:高工LED综合报道 作者:--- 时间:2012-01-13 00:00
欧司朗光电半导体的研发人员成功制造出高性能蓝白光LED 原型,当中的氮化镓发光层生长于直径为150 毫米的硅晶圆上。这晶圆以硅代替了目前常用的蓝宝石,获得相等的优异质量。这款全新的LED芯片已经进入试点阶段,将在实际条件下接受测试,这表示欧司朗光电半导体的首批硅上LED 芯片有望在两年内投放市场。
由于硅在半导体行业应用广泛,且可实现较大的晶圆直径,再加上其出众的热管理特性,所以照明市场以后必将趋向于选择这种极具吸引力且成本合理的材料。此外,公司制造的LED 硅芯片的质量和性能数据可与蓝宝石基芯片相媲美:标准Golden Dragon Plus LED封装中的蓝光UX:3芯片在3.15V时亮度可达634 mW,相当于58%的光效。这些都是1mm²芯片在350mA电流下所能达到的较高值。换言之,如果再结合标准封装中的传统荧光粉转换,这些白光LED原型在350 mA电流下亮度将达到140 lm,色温为4500K时更将实现127lm/W的光效。
欧司朗强调,从数学理论来说,目前已可在直径为 150mm(6 英寸)的晶圆上制造出17,000 颗1mm²大小的LED 芯片。硅晶圆越大,生产效率就越高;欧司朗研发人员已经向世人展示了第一个 200mm(约 8 英寸)的硅基结构。
资讯排行榜
- 每日排行
- 每周排行
- 每月排行
- 安森美将在2026慕尼黑上海电子展 呈现系统级智能电源与感知创新
- ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
- 泰瑞达携手东京电子推出面向AI与数据中心芯片的集成测试解决方案
- 加速具身智能量产,大联大世平集团携手芯驰科技深度解析全栈芯方案
- 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
- Littelfuse NANO2 SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
- 摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划
- Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流,铁芯损耗降低20%
- 思特威亮相AutoSens USA,全场景车载视觉方案赋能智驾升级
- 安森美发布GaNEXUS氮化镓功率产品组合
- Vishay新款IHXL系列电感器提供高达209 A的额定电流,铁芯损耗降低20%
- 思特威亮相AutoSens USA,全场景车载视觉方案赋能智驾升级
- 安森美将在2026慕尼黑上海电子展 呈现系统级智能电源与感知创新
- 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET
- 摩尔斯微电子宣布VPI Technology加入Wi-Fi HaLow设计合作伙伴计划
- Littelfuse NANO2 SMD 708系列保险丝为大电流48 VDC AI数据中心提供保护
- ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
- 泰瑞达携手东京电子推出面向AI与数据中心芯片的集成测试解决方案
- 加速具身智能量产,大联大世平集团携手芯驰科技深度解析全栈芯方案
- 安森美发布GaNEXUS氮化镓功率产品组合
- 内存暴涨反而降价,苹果华为小米集体"跳水"
- Melexis推出集成DC/DC转换器的LIN RGB驱动芯片,简化汽车照明设计
- 今年最大国产芯片IPO,重启!|长鑫科技
- 东芝推出面向工业设备、最高工作温度达125°C的四通道高速标准数字隔离器
- 思特威全新推出超大靶面超高分辨率工业相机应用系列图像传感器
- 英伟达正式进军个人电脑芯片市场
- 被AI点燃的电子工业大米:MLCC需求暴增3-5倍,涨价35%
- 碳化硅赋能浪潮教程:替代Si和SiC MOSFET的方案
- 摩尔斯微电子发布高功率Wi-Fi HaLow模组MM8108-M20,加速远距离物联网规模化应用
- Wolfspeed 新推出两款3.3 kV碳化硅功率模块系列,助力应对能源需求的激增






