日本碍子开发出可将LED发光效率提高1倍的GaN硅晶片

【高工LED综合报道】 日本碍子称开发出了可将LED光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)硅晶片。该硅晶片在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个硅晶片表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透明特性。
 
日本碍子在其他研究机构的协助下，在开发出来的GaN硅晶片上制造了LED元件，并进行了发光性能试验。结果表明，该LED元件的内部量子效率达到约90％(注入电流200mA时)。

据日本碍子介绍，市售LED元件的内部量子效率为30～40％(注入电流200mA时)，照此计算，利用新开发的硅晶片制造的LED元件，其内部量子效率提高了1倍以上，这样便可使发光效率达到市售LED光源的2倍(200lm/W)，将耗电量降低50％并抑制发热，从而实现照明器具的长寿命化及小型化。