速进步的硅光子技术使通向光版CMOS之路顺昌

　　随着光布线导入的加快，上述课题有望得到稳步解决。以前，构成光路的各元件，比如光收发元件及调制器等，其尺寸要远远大于电路元件，因此光路模块的尺寸巨大。而且，以离散元件为中心，还采用各不相同的材料。其中有很多元件使用含有砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）等稀有金属的化合物半导体。此外，由于光纤及导波路中光通过的芯线直径只有数μm，因此组装模块时，需要以1μm以下的高精度对齐光轴。这些都会导致制造成本的增加，最终造成产品价格的上升。

　　不过，从2006年前后起情况发生大幅变化。利用称为硅光子的硅材料及半导体工艺制造各元件的技术相继被开发了出来（图6）。这样，各元件的尺寸便从2005年前后的数mm～数cm减小到了约1/100，目前仅为数十μm～数百μm，实现了小型化。随着硅光子技术今后的发展，以前因制造成本高而难以导入的光布线有望向所有产品爆发性普及。基板间及芯片间的连接自不必说，处理器的全局布线也将向光布线转换。

　　硅光子技术的定位已开始大幅变化。原来的光布线及光路以通过光来接替实施电布线无法实现的长距离数据传输的形式实现实用化。也就是说，光布线的实用化将按照通信网络到服务器机壳间的连接，再到基板间及基板内的顺序推进，而硅光子排在最后，一直被认为是仅对高性能处理器的芯片内部进行处理的技术