LED芯片的散热过程并不复杂，只是一系列导热过程再加对流换热过程，温度范围不高，属于常温传热，其内的导热过程，完全可以运用计算机专用软件求解三维导热微分方程，计算分析出LED芯片中、散热片内的导热过程，以及散热片外表的对流换热，分析出整个传热过程中主要的热阻在何处，什么原因造成的，可以得到一非常清晰的解，使人们有的放矢。
但当前LED散热以及同类的半导体芯片散热，都缺少这一基础性和指导性的研究，即使有人做了，但不为众人所知。由此造成当今LED散热技术就像春秋战国时代样，出现采用热管，甚至提出采用回路热管。本文仅从LED芯片分布不同，来研究分析其对散热的影响，将对LED芯片中的设计和制造起着指导性意义。
1、计算模拟的模型
图1
如图1所示，铝制散热片的一侧面设有9颗1×1MM，1W的芯片，还有0.1MM厚导热系数取4W/(M·K)的绝缘导热层，肋片的总面积为 M2，空气对流换热系数为 =6 W/（M2·K），铝的导热系数取202 W/(M ·K)。为简化计算，不考虑肋片内的导热问题，由肋片散热面简化折算成65×65MM，对流换热系数为 85 W/（M2·K）的对流换热面。也就是求解一侧面为对流换热面( =85W/（M2·K）)，另一侧为9颗芯片(1×1MM，1W)的铝块（65×65×3MM）在芯片间距不同时其内部的温度场。
    求解方程：
即为三维稳态导热微分方程，通常称为拉普拉斯方程式。利用专用的计算软件求解。
2、计算结果
图2为：不同芯片间距，LED芯片所处的散热片金属表面，过中心点的温度分布。
芯片间距L取1MM、2.5MM、5MM、7.5MM、10MM、15MM、20MM、25MM、30MM。
当L=1MM时，即9颗LED芯片集中在一起，之间没间隙。
表1列不同芯片间距，LED芯片所处散热片金属表面中心点（也即温度最高点）的温度值及其差别。以上计算中环境温度取40℃（313K）。
 
3、分析
从图2和表1中可清楚地看：当把9颗LED芯片集中在一起（芯片间距L=1MM）时，中心点（芯片所处的温度最高点）温度最高，也就是散热效果最差。当芯片间距增加1.5MM（L=2.5MM）时，最高点温度就下降3.1℃，芯片间距增加4MM（L=5MM）时，最高点温度下降4.8℃。当芯片间距为L=7.5MM时，最高点温度下降5.6℃。当芯片间距L=10MM时，温度下降6.1℃。当芯片间距L=20MM时，温度下降7.2℃。在间距L=10MM内温度降低显著。
4、结果
（1）LED芯片分布对散热有很大影响，应该将LED芯片分散开。
（2）对于1×1MM，1W的LED芯片，芯片间距取5~10MM为佳。
