联电/意法携手开发65nm CMOS BSI制程技术

       联电6日宣布与意法半导体合作65nm CMOS影像感测器背面照度BSI技术。事实上，双方先前已顺利于联电新加坡Fab 12i厂产出意法半导体的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功经验，此次合作将更进一步扩展两家公司的伙伴关系。此1.1um像素间距的BSI制程，将于联电新加坡Fab 12i厂展开研发，并将以开放式平台模式供客户采用，以协助客户迎接高解析度与高画质(千万像素以上)尖端智慧手机世代的来临。
       联电负责12寸晶圆厂营运的颜博文资深副总表示，很高兴与意法半导体携手研发此次的专案。此次协议贯彻了联电开放式平台的合作策略，以提供客户导向晶圆专工解决方案，来因应日益攀升的市场需求。而联电也期待借着增加此CIS BSI制程，在未来更进一步地强化全方位的技术组合。
       联电强调，该公司于CIS领域的优异实力，包含现有的8寸与12寸CIS制造解决方案。此次新开发的65奈米CIS技术，将具有BSI制程足以因应长期需求的优势，除了可用于现今应用产品之外，预期未来也可应用于车用电子与工业领域。而65奈米BSI制程系针对快速兴起的应用产品所推出，诸如智慧手机、平板电脑、高阶监视器、以及消费型数位相机 /数位单眼相机等，都将可在取得意法半导体的授权后采用。
       意法半导体负责影像、Bi-CMOS、ASIC及矽光子事业群的副总裁Eric Aussedat则表示，过去意法在影像技术上与联电合作的辉煌成绩，让公司对这次和联电携手研发次世代影像感测制程有极大的信心，而双方的合作也将让意法得以藉由尖端的BSI制程，支援所有公司将拓展的应用产品与市场。