三星存储芯片率先进入10nm制程

三星存储芯片率先进入10nm制程

       早在今年8月份的时候三星就宣布量产ultra-fast eMMC存储芯片，目前这一芯片已经开始移植到最新一代的产品中来。根据三星的官方描述这个存储芯片已经从原有的20nm制程进入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代产品在外观上小20%，性能和劳动生产效率方面比前代产品提升了30%。

       尽管最新的芯片依然采用JEDEC的eMMC 4.5接口标准，不过三星表示在明年的时候将迎来新的接口设计以提升产品的传输性能。

       目前这款产品的写速度达到了2,000 IOPS(每秒的输入吞吐量)而读速度达到了5000 IOPS。而前代产品的读写速度仅为1500/3500 IOPS，同时在带宽方面读写也达到了260MB/s和50MB/s。

了解更多热点资讯、独家行业透析，请点击：华强电子资讯http://www.hqew.com/info/