Microsemi推出新型S波段RF功率晶体管专注雷达应用

       致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation)扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。

       在2.7 至2.9 GHz频段上，2729GN-500晶体管具有无与伦比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏极效率性能，通过单一器件在这个频段上提供最大功率，主要特性包括：

·标准脉冲间歇格式：          100μs, 10 % DF

·出色的输出功率：              500W

·高功率增益：                     >11.5 dB min

·漏极偏压?Vdd：              +65V

·低热阻：                            0.2℃/W

使用GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现的系统优势包括：

·具有简化阻抗匹配的单端设计，替代需要额外合成的较低功率器件

·最高峰值功率和功率增益，可减少系统功率级数与末级合成

·单级对管提供具有余量的1.0 kW峰值输出功率，通过四路组合提供全系统2kW峰值输出功率

·65V的高工作电压减小电源尺寸和DC电流需求

·极其稳健的性能提升了系统良率，而且

·放大器尺寸比使用硅双极结晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50%

封装和供货：

       2729GN-500晶体管采用单端封装供货，在密封的焊料密封封装中采用100% 高温金镀金线材布线，实现长期军用级可靠性。美高森美将为符合资格的客户提供租借演示单元，并在公司网站www、microsemi、com上提供技术资料表。要了解更多的信息，请发送电邮至sales.support@microsemi、com。（责编：damon）

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