联电与ARM扩大28nm合作 年初量产

联电与ARM扩大28nm合作 年初量产

        ARM与全球晶圆专工大厂联电14日宣布扩大合作协议，将提供ARM Artisan实体IP与POP IP供联电28HLP制程使用。针对锁定智慧手机、平板、无线与数位家庭等各式平价消费性应用的客户，联电与ARM将透过本协议，提供先进制程技术与全方位实体IP平台。联电目前正针对客户产品以28HLP制程进行试产，预计2014年初开始量产。

      联电负责矽智财研发设计支援的副总简山杰指出，联电秉持着United for Excellence共创卓越的精神，与IP供应商通力合作，为晶圆专工客户提供高价值的设计支援解决方案。联电28奈米双制程发展路径包括了多晶矽（poly SiON）与高介电常数金属闸极（HKMG）技术。

      他强调，联电无论是在功耗、效能与晶片面积等各个层面，28HLP制程均是晶圆专工业界最具竞争力的多晶矽28奈米技术，还有强大的设计平台可协助行动与通讯产业客户加速产品上市时间，很高兴能扩大与ARM之间的合作关系，以ARM大受欢迎的POP IP核心硬化加速技术（core-hardening acceleration technology），进一步强化联电的28HLP平台。

      低耗能的ARM Cortex-A7处理器已广为智慧手机、平板、数位电视等消费性产品所采用。Cortex-A7处理器的ARM POP IP锁定联电1.2GHz的28HLP平台于2013年12月开始出货。

      联电表示，28HLP制程为其28奈米多晶矽制程的加强版，可在体积、速度与耗电之间取得最佳化平衡。该制程因上述特色，成为可携式、无线区域网路、有线／手持式消费性产品等具有低耗电高效能需求的各式应用之最佳选择。联电目前正针对客户产品以28HLP制程进行试产，预计2014年初开始量产。