2014年全球DRAM供给量年成长24.2%

2014年全球DRAM供给量年成长24.2%

　　2014年全球DRAM位元供给量虽呈现逐季成长态势，且在第4季达到高点，但在来自智慧型手机与平板电脑等行动装置对Mobile DRAM强劲成长带动下，全球DRAM市场位元需求量成长表现更优于DRAM位元供给量成长，这也将使得2014年全球DRAM市场供过于求状况逐季改善。

　　DIGITIMES Research预估，2014年第4季DRAM市场价格压力可望暂获舒缓，但面临2015年全球景气成长动力有下修的疑虑，加上第1季淡季效应不利影响下，第4季下旬DRAM市场价格仍将可能面临下修压力。

　　2014年全球主要DRAM厂仅有华邦电子自南亚科技购买胜普电子8寸晶圆厂，及遭祝融之灾的SK海力士无锡厂产能于2014年上半恢复外，包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、南亚科技皆无扩充DRAM产能的动作。

　　不仅如此，包括三星、SK海力士、美光等全球前三大DRAM厂甚至将原本用于生产DRAM产能移转至NAND Flash与晶圆代工等业务，这也让全球用于生产DRAM的12寸晶圆产能自2011年见到高点后，出现连续3年下滑。

　　三星早在2013年第2季将25奈米制程导入量产，并于2014年第3季将20奈米制程导入量产，虽然20奈米制程对三星产能增加贡献相当有限，但在25奈米制程占产能比重持续提升的推动下，将成为带动2014年全球DRAM位元供给量成长的最重要动能。

　　DIGITIMES Research预估，在三星的带动下，2014年全球DRAM位元供给量较2013年成长24.2%，年位元成长率略优于2013年23.1%，但仍无法摆脱DRAM位元供给量成长趋缓的态势，DRAM位元供给量增加动能仅来自先进制程升级所增加产能，而非新建DRAM产线。

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