我国首批自主研发8英寸IGBT芯片装车成功试运行

我国首批自主研发8英寸IGBT芯片装车成功试运行

　　中国南车株洲所25日对外公布，装有中国首批自主研发8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达国际先进水平。

　　这意味着，由中国南车株洲所下属公司南车时代电气自主研制生产的8英寸IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完全国产化。

　　IGBT是一种新型功率半导体器件，中文全名“绝缘栅双极型晶体管”。作为电力电子装置的“心脏”，IGBT在国家战略领域中不可或缺。

　　由于国内IGBT技术起步较晚，受制于人，发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场一直被国外公司垄断。

　　2008年，南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司。经过4年的技术消化、吸收与再创新，2012年5月，中国南车株洲所在株洲投资15亿元人民币，建设国内第一条8英寸IGBT专业芯片线，并于2014年6月正式投产。10月，自主IGBT模块成功通过功率考核试验，并于当月底装载至昆明地铁1号线的城轨车辆。

　　行业数据显示，中国现已成为全球最大的电力电子器件消费市场，仅IGBT产品在国内的市场需求规模就已超过100亿元。此次成功试运行，拉开了国产8英寸IGBT芯片应用于轨道交通领域的序幕。

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