我国首批自主研发8英寸IGBT芯片装车成功试运行

来源:互联网 作者:------ 时间:2014-11-26 09:32

  中国南车株洲所25日对外公布,装有中国首批自主研发8英寸IGBT芯片的模块在昆明地铁车辆段完成段内调试,并稳定运行一万公里,各项参数指标均达国际先进水平。

  这意味着,由中国南车株洲所下属公司南车时代电气自主研制生产的8英寸IGBT芯片已彻底打破国外高端IGBT技术垄断,实现从研发、制造到应用的完全国产化。

  IGBT是一种新型功率半导体器件,中文全名“绝缘栅双极型晶体管”。作为电力电子装置的“心脏”,IGBT在国家战略领域中不可或缺。

  由于国内IGBT技术起步较晚,受制于人,发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场一直被国外公司垄断。

  2008年,南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司。经过4年的技术消化、吸收与再创新,2012年5月,中国南车株洲所在株洲投资15亿元人民币,建设国内第一条8英寸IGBT专业芯片线,并于2014年6月正式投产。10月,自主IGBT模块成功通过功率考核试验,并于当月底装载至昆明地铁1号线的城轨车辆。

  行业数据显示,中国现已成为全球最大的电力电子器件消费市场,仅IGBT产品在国内的市场需求规模就已超过100亿元。此次成功试运行,拉开了国产8英寸IGBT芯片应用于轨道交通领域的序幕。

 

 

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