中国首批国产8英寸IGBT芯片达国际先进水平

中国首批国产8英寸IGBT芯片达国际先进水平

　　继国内首条8英寸IGBT专业芯片线在南车株洲所投产后，该所又传来好消息：近日，载有首批8英寸IGBT芯片的模块，在昆明地铁车辆段完成段内调试，并稳定运行一万公里，各项参数指标均达国际先进水平。

　　此次试运行的IGBT模块，由南车株洲所旗下南车时代电气自主研发的8英寸IGBT芯片封装而成，IGBT芯片制造、封装、测试的整套技术均在公司研制和生产。它的诞生到应用，已彻底打破国外高端IGBT技术垄断，实现从研发、制造到应用的完全国产化。

　　作为电力电子装置的“心脏”，IGBT在国家战略领域中不可或缺。但是，国内IGBT技术起步较晚，发展艰难而缓慢。国内大功率IGBT市场因此一直被国外公司垄断。二十世纪六十年代初,株洲所开始培养我国最早的半导体器件研发队伍。改革开放后，该所从美国西屋公司引进一条3英寸大功率半导体生产线，通过消化和吸收，先后成功研制出5英寸系列普通晶闸管和整流管及世界上第一只6英寸晶闸管。

　　2008年，南车时代电气成功并购英国丹尼克斯半导体公司，2012年，株洲所投资15亿元，在株洲建设起国内第一条8英寸IGBT专业芯片线，并于今年6月正式投产。10月，自主IGBT模块成功通过功率考核试验，并于当月底装载至昆明地铁1号线城轨车辆。

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