Diodes全新MOSFET栅极驱动器提升转换效率

互联网 2015-01-08 a:3:{i:0;s:6:"Diodes";i:1;s:6:"diodes";i:2;s:15:"

　　Diodes(Diodes Incorporated) 推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封装) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封装) 可缩减MOSFET的开关时间，有助于尽量降低开关损耗、改善功率密度，以及提升整体转换效率。

　　新驱动器作为低功率控制IC的高增益缓冲级，能够从仅10mA的输入电流提供500mA的典型驱动电流，从而使功率MOSFET电容负载实现快速充放电功能。驱动器具有超速开关，而且提供少于5ns的传递延迟时间，以及少于20ns的升降时间。

　　两款ZXGD3009系列的产品通过分开的抽灌输出来独立控制MOSFET的开关时间，使MOSFET的工作模式更能满足应用的需求。器件能以正负电压驱动栅极，确保功率MOSFET硬关断的可靠性。

　　新栅极驱动器备有坚固的射极跟随器，以防止闭锁和击穿现象，并能承受高达2A的峰值电流。两款产品提供的40V宽广工作电压范围，加上功率MOSFET栅极驱动，也使它们能处理远超于功率MOSFET栅极驱动常见的12V电压尖峰。

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