Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积

Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装 有效节省占位面积

　　Diodes公司新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 (5mm x 4.5mm)。这种配置可减少元件数量以及节省电路板空间，另外对要求配备多种器件的应用尤为重要，包括一系列工业检测系统或海事声呐设备内的超声波换能器。其它常见的应用有48V电信设备散热风扇的直流驱动电机，以及无线充电板线圈等电感负载。

　　DMHC10H170SFJ具有100V漏源极击穿电压 (BVDSS)，提供充足的净空以支持48V电信轨和工业应用。它还配备5V的栅极电压，以简化微控制器的直接逻辑电平接口之设计。该器件的峰值脉冲电流额定值为11A，使之能够在驱动线圈通电时处理冲击电流，这一般比直流电机的典型工作电流大五倍。

　　新产品可替代四个SOT23或两个SO-8封装器件，使多个超声波换能器能以紧凑的陈列部署。以1,024个换能器一组为例，每个都必须由H桥单独驱动，从而为相控阵系统提供可控的聚焦光束。这种系统用来检测材料生产流程，并且适用于海事回声定位系统。DMHC10H170SFJ采用了V-DFN5045-12封装，提供市场上独有的超小尺寸解决方案。新产品以三千个单元为出货批量。

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