瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET
2025 年 1 月 9 日,中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源(UPS)等多个领域。

瑞萨开发的全新MOSFET晶圆制造工艺(REXFET-1)使新产品的导通电阻(MOSFET导通时漏极与源极之间的电阻)大幅降低30%;更低的导通电阻有助于显著降低客户系统设计中的功率损耗。
REXFET-1工艺还使新型MOSFET的Qg特性(向栅极施加电压所需的电荷量)降低10%,Qgd(在“米勒平台”阶段需要注入栅极的电荷量)减少40%。
除了优秀的电气特性外,瑞萨的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET还采用行业标准TOLL和TOLG封装,与其它制造商的器件引脚兼容,且封装尺寸比传统TO-263封装小50%。TOLL封装还具备wettable flanks,便于光学检测。
Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示:“多年来,瑞萨在MOSFET领域积累了丰富的经验和技术优势,凭借我们强大的制造能力和多个高产能工厂的供货保障,瑞萨致力于为客户提供卓越的产品和服务。”
成功产品组合
瑞萨将全新MOSFET与其产品组合中的众多器件相结合,推出多种“成功产品组合”方案,包括48V电动平台和三合一电动汽车单元(逆变器、车载充电器、DC/DC转换器)等。这些方案基于相互兼容且可无缝协作的产品,具备经验证的系统架构并带来经优化的低风险设计,以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。
供货信息
RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET现已量产。瑞萨还提供带有应用说明的参考设计,以帮助客户缩短设计周期。
关于瑞萨电子
瑞萨电子(TSE: 6723),科技让生活更轻松,致力于打造更安全、更智能、可持续发展的未来。作为全球微控制器供应商,瑞萨电子融合了在嵌入式处理、模拟、电源及连接方面的专业知识,提供完整的半导体解决方案。成功产品组合加速汽车、工业、基础设施及物联网应用上市,赋能数十亿联网智能设备改善人们的工作和生活方式。
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