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Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款60VTrenchFET第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10V条件下最大导通电阻降至4mW，采用热增强型3.3mm
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Power Integration推出高度灵活的门极驱动器系统，适合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及…
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司PowerIntegrations今日推出SCALE-iFlex门极驱动器系统，新产品适合耐用介于1.7kV至4.5kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。该系统由一个中央
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MOSFET降价或将持续到今年三季度 二季度成备货最佳时期
面对如今MOSFET整体降价的局面，各大厂商都在想方设法去库存，降价成为目前唯一的出路，同时对于原厂而言，许多客户也会要求厂商给予更低的价格进行采购，厂商又将如何应对?同时这一轮MOSFET降价潮又将在何时终止?对此，邓文才表示：“我们仍然会保
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12寸晶圆厂扩产影响不大 MOSFET降价集中在3A以下
与此同时，也能注意到目前大陆许多12寸新兴晶圆厂在持续增大投资，部分业者重点锁定MOSFET芯片强攻，并持续扩大资本支出。对于这一现状，江波认为：“从目前上游芯片产能情况来看，12寸厂功率半导体的逐步放量短期内还不会对MOSFET的价格造成太大
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Power Integrations发布集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC
深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司PowerIntegrations公司(纳斯达克股票代号POWI)今日发布一系列集成了900V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC，也包括适合简单型
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如何选择MOSFET——电机控制
本文主要讨论特定终端应用需要考虑的具体注意事项，首先从终端应用中将用于驱动电机的FET着手。电机控制是30V-100V分立式MOSFET的一个庞大且快速增长的市场，特别是对于许多驱动直流电机的拓扑结构来说。在此，我们将专注于讨论如何选择正确的F
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被动元件价格暴跌，首当其冲的将是MLCC和MOSFET
零组件陷盘整，被动元件好景不复见!业界传出，微软因MLCC库存水位过高、四处询问代工厂有没有需要?最近连涨价概念MOSFET也跟着头大，近期不仅供需相当平衡，价格也是松动在即，让已经跟英飞凌签订条件严苛的长期供货合约的业者觉得伤脑筋。业界预期，
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TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器
德州仪器(TI)近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力，还可为高压系统构筑坚强的保护屏障。UCC21710-Q1、UCC21732-Q1和UCC21750可帮助设计师开发更小巧、更高效和具有更卓越性能的牵引逆变器、车载
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IC渠道商透露，原本需求强劲的MOSFET也将从下季起降价
受半导体库存调整及大陆厂产能开出影响，IC渠道商透露，原本需求强劲，供不应求的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)也将从下季起降价，尤以消费性应用端降幅最甚，最高降价二成，牵动世界、合晶、大中、杰力等业者营运。这是继DRAM、被动元件和12英
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安世半导体年度产能超过1000亿件
2月21日，全球领先的分立元件、逻辑元件与MOSFET元件制造商安世半导体通过其官方微信公众号宣布：安世半导体被荷兰恩智浦剥离出来作为一家独立公司，仅用两年时间即领先市场同行，实现收入增长超过35%，将年度产能扩产至超过1000亿件。安世半导体
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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新的2.5AIGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。VishaySemiconductorsVOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压
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意法半导体快速恢复的超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能
意法半导体的MDmeshDM6600VMOSFET含有一个快速恢复体二极管，将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的
