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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
5月11日，领先于智能电源和智能感知技术的安森美，在PCIMEurope展会发布全球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件
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捷捷微电：部分车规级SGT MOSFETs产品已在已实现车用
5月10日，捷捷微电在投资者互动平台表示，公司聚焦新能源汽车和智能电网等应用，推出多款MOSFET新产品，在新能源汽车、光伏及储能等新能源行业市场空间巨大。目前公司有近50款车规级SGTMOSFETs产品，部分产品已在新能源车上实现车用，另外，
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英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
5月10日，英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiCTM技术，即CoolSiCTMMOSFET1200VM1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合
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Microchip推出业界领先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件， 实现更高的效率与可靠性
3.3kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围牵引功率单元（TPU）、辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要
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IDM大厂订单溢出 汉磊委外代工厂最高涨价50%
3月15日报道，供应链传出，受惠于车用MOSFET等功率半导体需求强劲，加上6英寸芯片代工厂产能满载，汉磊作为委外工厂，将针对大客户英飞凌全面调涨报价，幅度最高达50%，同时积极扩大第三代半导体碳化硅（SiC）的产能，预计今年出货量将呈倍数级成
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英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准
3月14日，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN2x2mm2封装的OptiMOSTM525V和30V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄
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国际IDM率先将车用MOSFET、IGBT迁至12英寸产线
2月21日消息，国际IDM正率先将将高利润的汽车MOSFET和IGBT功率模块生产从8英寸迁移至12英寸，以提高其在该领域的竞争力。《电子时报》援引该人士称，日本东芝半导体最近宣布计划投资1,000亿日元（合8.694亿美元），扩大其12英寸汽
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捷捷微电：南通功率半导体器件项目计划今年二季度末或三季度试产
捷捷微电2月15日在投资者互动平台表示：公司南通“高端功率半导体器件产业化项目”配套无锡和上海MOSFET团队，计划2022年二季度末或第三季度开始试生产，该项目将有助于推动高端功率半导体发展，满足下游市场需求，扩大市场占有率，缓解MOSFET
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消息称现代汽车或面临MOSFET短缺
2月13日，据韩媒报道，现代汽车为了能保证半导体供应，将与半导体企业进行协商。现代汽车在确保作为电流控制开关的功率器件MOSFET方面遇到了困难。随着芯片供应困难的长期化，MOSFET这一基础器件也供不应求。由于MOSFET控制电力流，电动汽车
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捷捷微电部分MOSFET产品可应用于光伏逆变器
12月16日，捷捷微电在互动平台表示，公司有部分MOSFET产品可应用于光伏逆变器领域，目前仍在样品阶段。公司在新能源汽车方面，有部分TVS产品用于充电桩上，主要是提供安全保护。据捷捷微电透露，公司侧重于功率半导体器件IDM模式，功率半导体“车
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派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线
自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiCMOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiCMOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国