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东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiCMOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电
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东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品
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Vishay推出SOP-4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款业内先进的新型汽车级光伏MOSFET驱动器---VOMDA1271，该驱动器采用节省空间的SOP-4封装，集成关断电路。VishaySemico
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Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFETGenVMOSFET组
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新能源汽车引爆需求！10大国内外MOSFET厂商纷纷抢市占
MOSFET：最理想的功率器件MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）即金属氧化物半导体场效应晶体管。因其具有驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性强等优势被称为最理想
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
5月11日，领先于智能电源和智能感知技术的安森美，在PCIMEurope展会发布全球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件
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捷捷微电：部分车规级SGT MOSFETs产品已在已实现车用
5月10日，捷捷微电在投资者互动平台表示，公司聚焦新能源汽车和智能电网等应用，推出多款MOSFET新产品，在新能源汽车、光伏及储能等新能源行业市场空间巨大。目前公司有近50款车规级SGTMOSFETs产品，部分产品已在新能源车上实现车用，另外，
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英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
5月10日，英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiCTM技术，即CoolSiCTMMOSFET1200VM1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合
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Microchip推出业界领先的3.3 kV碳化硅（SiC）功率器件， 实现更高的效率与可靠性
3.3kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围牵引功率单元（TPU）、辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要
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英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准
3月14日，英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN2x2mm2封装的OptiMOSTM525V和30V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄
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国际IDM率先将车用MOSFET、IGBT迁至12英寸产线
2月21日消息，国际IDM正率先将将高利润的汽车MOSFET和IGBT功率模块生产从8英寸迁移至12英寸，以提高其在该领域的竞争力。《电子时报》援引该人士称，日本东芝半导体最近宣布计划投资1,000亿日元（合8.694亿美元），扩大其12英寸汽