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这款节省空间的器件最大RthJC低至0.36℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年5月29日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NY
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超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2025年4月16日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新的G
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Wolfspeed高度灵活的第4代MOSFET技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持整体效率的提升有助于降低系统成本、缩短开发时间，同时最大限度延长应用寿命，这代表着碳化硅技术的一个关键进展2025年2月12日，美国北卡罗来纳
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2025年1月9日，中国北京讯-全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHP
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美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年12月4日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK10x12封装的新型40VTrenchFET四代n沟道功率
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美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年11月20日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAKSO-8S（QFN6x5）封装的全新150VTrench
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中国上海，2024年11月12日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X
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美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年10月24日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器--
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新闻要点最新一代EliteSiCM3eMOSFET能将电气化应用的关断损耗降低多达50%该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗与安森美(onsemi)智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiCM3e可以提供更优化
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美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年5月7日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK?8x8LR封装的第四代600VE系列功率MOSFE
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiCMOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电