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Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年12月4日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK10x12封装的新型40VTrenchFET四代n沟道功率
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Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年11月20日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAKSO-8S（QFN6x5）封装的全新150VTrench
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东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
中国上海，2024年11月12日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X
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Vishay的采用延展型SO-6封装的新款 IGBT和MOSFET驱动器实现紧凑设计、快速开关和高压
美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年10月24日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器--
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安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型
新闻要点最新一代EliteSiCM3eMOSFET能将电气化应用的关断损耗降低多达50%该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗与安森美(onsemi)智能电源产品组合搭配使用时，EliteSiCM3e可以提供更优化
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Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V E系列功率MOSFET
美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海—2024年5月7日—日前，威世科技VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK?8x8LR封装的第四代600VE系列功率MOSFE
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东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiCMOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电
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东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品
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Vishay推出SOP-4小型封装集成关断电路的汽车级光伏MOSFET驱动器
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出一款业内先进的新型汽车级光伏MOSFET驱动器---VOMDA1271，该驱动器采用节省空间的SOP-4封装，集成关断电路。VishaySemico
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Vishay推出的新款对称双通道MOSFET可大幅节省系统面积并简化设计
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFETGenVMOSFET组
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新能源汽车引爆需求！10大国内外MOSFET厂商纷纷抢市占
MOSFET：最理想的功率器件MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）即金属氧化物半导体场效应晶体管。因其具有驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性强等优势被称为最理想
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
5月11日，领先于智能电源和智能感知技术的安森美，在PCIMEurope展会发布全球首款To-Leadless(TOLL)封装的碳化硅(SiC)MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件