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东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
中国上海，2024年11月12日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X
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东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率
中国上海，2024年9月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电
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电动压缩机设计-SiC模块篇
压缩机是汽车空调的一部分，它通过将制冷剂压缩成高温高压的气体，再流经冷凝器，节流阀和蒸发器换热，实现车内外的冷热交换。传统燃油车以发动机为动力，通过皮带带动压缩机转动。而新能源汽车脱离了发动机，以电池为动力，通过逆变电路驱动无刷直流电机，从而带
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Qorvo 推出采用 TOLL 封装的 750V 4mΩ SiC JFET，推动断路器技术的革命性变革
中国北京，2024年6月12日——全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，率先在业界推出采用TOLL封装的4mΩ碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）——UJ4N075004L8S。该产品专为包括固
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Qorvo 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装(TOLL)封装技术，其高性能具体表现在：750VSiCFET拥有全球最低的5.4(mΩ)的导通阻抗。这也是Qorvo公司750VSi
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三菱电机将砸约51亿元盖新厂！增产 SiC 功率半导体
因来自电动车（EV）的需求旺，日本三菱电机（MitsubishiElectric）将砸千亿日圆、盖新厂，增产碳化硅（SiC）功率半导体，对功率半导体事业的设备投资计划将倍增。三菱电机3月14日宣布，将增产SiC功率半导体，主因EV用需求旺，带动
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瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电
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Navitas宣布收购业内领先的SiC公司GeneSiC 加速进入电动汽车等领域
8月15日，纳微半导体公司公布截至2022年6月30日的第二季度未经审计的财务业绩，并宣布收购GeneSiCSemiconductor，这是一家在SiC功率器件设计和工艺方面拥有深厚专业知识的碳化硅(SiC)先驱。财报显示，Navitas本季度
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派恩杰半导体：跨越“抗高压和高可靠”两座大山，GaN方能大规模“上车”
今年开始，GaN车规化获得很多企业的青睐，不仅有圈内大厂ST、英飞凌、TI将其列为重推产线，更有纳微、安世等后发新秀，纷纷借助GaN优势的性能打出一系列车用级产品，推动GaN“上车”声浪节节走高。但从在市场实际渗透方面，GaN显然还是比SiC要
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清芯半导体完成3000万人民币A轮融资
4月26日消息，据第三代半导体产业技术战略联盟消息，东莞清芯半导体科技有限公司（以下简称“清芯半导体”）于近日获得3000万元融资。该公司将继续围绕第三代半导体SiC功率器件等芯片核心技术进行研发和产品创新，加速推进该技术的国产替代。清芯半导体
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中车时代半导体拟投资约4.62亿元升级碳化硅芯片生产线
4月13日消息，时代电气发布关于自愿披露控股子公司中车时代半导体投资碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目的公告。公告显示，中车时代半导体拟在已建成SiC芯片线的基础上，进行投资4.62亿元人民币实施碳化硅芯片生产线技术能力提升建设项目，项目建设
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环球晶已获得意法半导体等大厂的SiC订单
3月21日报道，环球晶已陆续取得意法半导体、英飞凌等欧洲车用半导体大厂SiC基板订单。据悉，环球晶目前6英寸SiC基板月产能约2000片，今年6英寸SiC基板月产能可望扩增至5000片，明年底可望达到1万片/月。环球晶于2月宣布，未来公司预计执