半导体新材料研发成功 比硅强百倍

半导体新材料研发成功 比硅强百倍

　　近日，韩国蔚山科学技术大学能源化学工学部教授白钟范成功用合成氮和碳，开发出比硅功能强100倍的新的半导体材料。该项研究成果已刊登在国际学术杂志《Nature Communications》上。

　　之前，很多研究人员认为，替代硅半导体的理想物质将是石墨的单原子层“石墨烯(Graphene)”。石墨烯之所以被称为“革命性的新材料”是因为导热性能好且没有电气的抵抗。但仅由导电的部分，难以制造电路。

　　而白钟范研究小组将碳和氮以化学方式合成，在石墨烯内制造了不导电的空间，从而制造出电路。该新材料达电和不达电时的信号传达比率(闪 烁比率)为1000万倍。到目前为止，性能最好的硅半导体的闪烁比率为10万倍。闪烁比率越高，信号传达越正确，被评价为最优质的半导体。

　　此外，新材料与不耐热的半导体相比，还有一个优点是温度在600摄氏度以上时也稳定运转。

　　目前用于半导体制造的硅在狭窄的空间里制造多条电路，因过热而出故障或遭到损失。虽然三星电子上月开发了电路线的幅度10纳米(1纳米=10亿分之1米)的硅半导体技术，但学术界认为5纳米达到上限。

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