Qorvo推出一项全新的砷化镓赝晶型高电子迁移率晶体管工艺技术

Qorvo推出一项全新的砷化镓赝晶型高电子迁移率晶体管工艺技术

　　Qorvo推出一项全新的砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺技术，与竞争对手的半导体工艺相比，该技术能够提供更高的增益/带宽和更低的功耗。Qorvo新近推出的TQPHT09是一种90 nm pHEMT工艺，能够支持Qorvo的下一代光产品组合。这种新工艺具备Qorvo业界领先的可靠性，非常适合100G+线性应用所需的下一代高频高性能放大器。

　　TQPHT09在Qorvo位于德克萨斯州里查德逊的业界领先GaAs工厂制造，也是该公司久负盛誉的pHEMT工艺产品组合中的最新产品。Qorvo的TQPHT09为多种新型光调制器驱动器产品奠定了基础，包括该公司最先进的四通道100G调制器驱动器TGA4960-SL。TGA4960-SL具有CFP2外形尺寸，适合地铁和长距离运输应用，也非常适合升级面向线路卡应用的100G线性双通道驱动器。该产品经过优化，实现高性能和低功耗，提供高度的通道间隔离，采用14.0 x 8.0 x 2.6 mm SMT模块封装，具有业界最小的封装尺寸。

　　Qorvo基础设施和国防产品部总裁James Klein表示：“Qorvo持续投资开发业界最具竞争力的半导体工艺技术，打造适用于下一代产品的同类最佳元器件。Qorvo的新型90 nm pHEMT工艺展示了我们在提供面向高速市场应用的元器件方面处于领先地位，能够提供客户期望的质量、可靠性和可靠供货源。”

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