飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管
来源:华强电子网 作者:------ 时间:2015-05-21 10:10
飞思卡尔半导体[NYSE:FSL]日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的GaN器件方面,已经取得了重大突破。
飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示:“借助这两款业界领先带宽的产品,我们的客户采用一个射频器件替换两个甚至三个独立的RF PA器件,大大降低了系统成本。 此外,这些器件具有超低的热阻,可使客户降低冷却系统的成本,而且它们能够以全连续波(CW)额定功率运行,满足更高温度的应用情况。”
OM-270新封装提供双引脚和八引脚配置,还可将飞思卡尔专用OMNI? RF塑封技术拓展至最小外形封装中,并增加与GaN的兼容性。
飞思卡尔Fellow兼RF封装开发部负责人Mali Mahalingam表示:“我们不断创新,采用冶金方式将GaN-on-SiC芯片与铜法兰相结合,然后将它们模压塑形,实现前所未有的热性能。此外,这种新封装的平台支持复杂的内部匹配方案,实现卓越的宽带性能。”
飞思卡尔以下两个封装的RF功率GaN晶体管充分利用这种先进的封装技术,提高性能水平:
· MMRF5015N:这是一款真正的CW超带宽GaN晶体管,功率为100W,电压为50V,非常适合高功率军用和民用通信系统。MMRF5015N的热阻不到0.8°C/W,这表明它比同类竞争产品的热阻性能高30%以上。MMRF5015N样品可以在评估套件中提供,展示前所未有的200-2500MHz带宽,实现全频段天线至少12db的增益和40%的效率提高。
· MMRF5011N:这是一款真正的CW超带宽晶体管,功率为10W,电压为28V,在可用应用电路中带宽为200-2600MHz。MMRF5011非常适合更低功耗的军用和民用手持无线电通信设备,现在已开始提供样品。
飞思卡尔将在2015年国际微波会议(IMS)第3031号展位展示和演示这些晶体管。
这两款新产品计划2015年第三季度批量生产,它们包含在飞思卡尔产品长期供货计划内,因为所有产品都属于射频军用产品组合。 如需设定相关条款和条件,并获得我们的产品长期供货计划中所列的产品列表,请访问:www、Freescale、com/productlongevity、
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