Intel 力推嵌入式 DRAM，力拚三星、SK 海力士

　　英特尔(Intel)半导体龙头地位摇摇欲坠，与三星电子差距日益缩小，英特尔似乎下决心要扳倒后进，据称打算力推嵌入式 DRAM(eDRAM)，减少对 DRAM 的依赖，让 DRAM 内存大厂三星和 SK 海力士狂冒冷汗。

　　(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源：Flickr/Dick Thomas Johnson CC BY 2.0)

　　韩媒 BusinessKorea 1 日报导，当前 DRAM 市场由三星和 SK 海力士称霸，据传英特尔想削弱对手，第六代 Skylake CPU 配备 eDRAM，提高图形运算效能。eDRAM 和 DRAM 不同之处在于，eDRAM 内建在 CPU die 内，DRAM 则和 CPU 各自独立。业界分析师称，英特尔先前的 Haswell 和 Broadwell 芯片已内建 eDRAM，原本是实验性质，如今已成为核心策略。日本和美国的半导体杂志也说，中长期而言，英特尔或许会整合 CPU 和 DRAM，发展 eDRAM。

　　报导称，英特尔作法仿效苹果，苹果 A 系列处理器效能极为稳定，数据和图形处理速度都快过 Android 机种。A 系列芯片 DRAM 小于 Android 机，却因采用高效能 SRAM 和 CPU 有突出表现。和 SRAM 相比，eDRAM 的优势在生产成本较低，容量较大。与此同时，英特尔的 3D XPoint 技术也可能重创 DRAM，美国业者独霸个人电脑和服务器 CPU，可能会藉此推展新技术，如果 3D XPoint 用于服务器、电脑、移动设备，未来可能成为业界主流，逼走 DRAM。

关注电子行业精彩资讯，关注华强资讯官方微信，精华内容抢鲜读，还有机会获赠全年杂志

关注方法：添加好友→搜索“华强微电子”→关注

或微信“扫一扫”二维码