中国要制造存储芯片，看似山穷水尽，实已柳暗花明

中国要制造存储芯片，看似山穷水尽，实已柳暗花明

　　中芯国际与联芯科技近日共同宣布，中芯国际28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程已成功流片，基于此平台，联芯科技推出适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片，包括高性能应用处理器和移动基带功能，目前已通过验证，准备进入量产阶段。

　　中芯国际董事长周子学博士与大唐电信科技产业集团董事长、总裁真才基使用中国品牌智能手机，该手机搭载了联芯科技28纳米 4G SoC 芯片，该芯片基于中芯国际28纳米HKMG技术平台打造。中芯国际是中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的晶圆代工企业。与传统的PolySiON制程相比，中芯国际28纳米HKMG技术将有效改善驱动能力，进而提升晶体管的性能，同时大幅降低栅极漏电量。基于中芯国际28纳米HKMG制程平台，联芯科技推出的智能手机SoC芯片拥有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗，CPU主频达1.6GHz。延续联芯科技在4G移动通信市场的佳绩，该芯片的面世将推动搭载“中国芯”的智能手机进一步扩大市场份额。

　　中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云表示，“很高兴能与联芯科技在28纳米HKMG平台进行合作，共同打造先进的智能手机SoC芯片。继采用中芯国际28纳米PolySiON制程的芯片加载主流智能手机后，我们的28纳米HKMG工艺也获得了终端客户的认可，商用在即。我们还将持续进行28纳米技术平台的开发及改善，预计将在2016年底推出基于HKMG制程的紧凑加强型版本，为客户提供更多优化的制程选择。”

　　联芯科技总经理钱国良表示，“联芯科技始终致力于3G/4G移动互联网终端核心技术的研发与应用，并坚持与产业链合作伙伴一起紧密协作，打造品质一流的芯片产品。此次与中芯国际在28纳米HKMG领域的合作，可谓产业协同，强强联合，将有力地推动国产芯片技术的发展。同时，此举将直接帮助联芯科技的芯片产品进一步提升性价比，服务于智能手机、智能汽车，以及机器人等领域，服务‘中国制造2025’。未来，我们还将与中芯国际继续强化合作，在更先进的技术节点上共同开发高性能的芯片产品。”

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