3D NAND Flash增速，产出比重上看两成

　　储存型闪存(NAND Flash)供货商争相加速3D NAND Flash发展，市调机构集邦科技预估，今年3D NAND Flash产出比重可望自去年的6%，大幅攀高至20%水平。

　　三星为全球3D NAND Flash发展最快速的厂商，在各大个人计算机代工厂中已获得不错的市占率;目前第3代 3D NAND Flash 将完成产品测试阶段，可望在今年下半年随着新款笔记本电脑铺货而开始量产。

　　东芝则在今年第1季开始小量生产3D NAND Flash，集邦科技指出，因应5年后3D NAND Flash需求，东芝计划第4季动工在现有厂区的周边扩建，预计2018年上半年加入3D NAND Flash生产行列。

　　闪迪(SanDisk)也开始进行3D NAND Flash初期小量试产，M14厂第2阶段将从今年下半年加入生产行列，满足3D NAND Flash市场需求。

　　美光已将3D NAND Flash送样模块厂测试，集邦科技表示，美光未来将以随身碟及消费性固态硬盘产品为主;美光自有品牌的3D NAND Flash固态硬盘预计今年第3季初送将各个人计算机代工厂认证。

　　随着各NAND Flash供应纷纷加速3D NAND Flash发展，集邦科技预期，今年3D NAND Flash产出比重可望攀高至20%水平，将有助固态硬盘加速普及。

　　中国大陆武汉新芯今日动土兴建新内存晶圆厂，集邦科技表示，这座新厂最快将在2018年初开始生产3D NAND Flash，将代表中国大陆发展内存产业迈入新里程碑。

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