东芝拟斥资800亿日元新建3D Flash专用厂房

东芝拟斥资800亿日元新建3D Flash专用厂房

　　东芝(Toshiba)8日发布新闻稿宣布，为了增产3D Flash Memory，将在四日市工厂内兴建新厂房“第6厂房(Fab 6)”。东芝指出，该座新厂房将作为3D Flash专用厂房，将分2期工程兴建，其中第1期工程将在2017年2月动工、并预计于2018年夏天完工。

　　东芝指出，关于上述新厂房具体的设备导入、开始生产时间，以及产能、生产计划等细节，将待今后评估市场动向之后再决定，且和西数(Western Digital，“WD”)进行协商后，双方今后也将进行共同投资。

　　东芝并指出，该座新厂房将导入活用AI人工智能的生产系统、借此提升生产效率。

　　据NHK报道，东芝上述新厂房的投资额约800亿日元。

　　根据Yahoo Finance的资料显示，截至9日上午8点05分为止，东芝劲扬1.59%至376日日元。

　　为了对抗三星电子等竞争对手，东芝于今年3月宣布，将在今后3年内(2016年度-2018年度)总计砸下约8,600亿日元投资NAND型快闪存储器(Flash Memory)，而上述新厂房就是该8,600亿日元投资计划中的一环。

　　东芝7月27日宣布，已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术，并自当日起领先全球同业开始进行样品出货。东芝指出，采用上述制程技术的256Gb(32GB)产品预计将在2017年前半开始进行量产，主要用来抢攻数据中心/PC用SSD、以及智能手机/平板电脑/存储卡等市场，且今后也计划推出512Gb(64GB)产品。

　　东芝表示，和48层产品相比，此次新研发的64层产品每单位面积的存储容量扩大至1.4倍，且每片晶圆所能生产的存储容量增加、每bit成本也下滑。

　　东芝统筹存储器事业的副社长成毛康雄于7月6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NAND型快闪存储器(Flash Memory)产量，目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。

　　成毛康雄指出，将强化3D Flash的生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。

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