缺货情况或缓解 NAND明年下半年正式进入3D时代

　　NAND Flash(存储型快闪存储器)原厂今年积极转进3D-NAND，不过制程难度高，良率总是无法有效提升，业者评估最快要等到明年下半年，3D-NAND的产出才会明显加快，真正进入3D-NAND时代，届时将助于缓解目前严重缺货的情况。

　　随着存储容量及效能需求，NAND Flash主要供应商三星、海力士、东芝、美光今年下半年陆续转进3D-NAND Flash，透过堆叠层数的增加及制程技术的改进，突破2D-NAND发展限制，但2D-NAND产能遭到排挤而降低，加上智能手机嵌入式存储器容量提高，大举刺激NAND Flash产业呈现供不应求。

　　供不应求将延续

　　全球市场研究机构TrendForce集邦科技研究协理杨文得指出，明年将是NAND Flash产业充满挑战与机会的1年，由于2D-NAND Flash产能依旧快速下滑，而3D-NAND Flash 的进度与良率提升充满挑战，明年将延续NAND Flash供不应求情况。

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