华邦电通过资本支出11.4亿新台币 Q1陆续投资

来源:钜亨网 作者:--- 时间:2017-02-04 10:48

华邦电 DRAM NAND Flash

  华邦电3日董事会核准11.39亿元(新台币,下同)资本支出,作为购置设备之用,以因应生产及营运需求,资金来源以自有资金及银行融资为主,预计自今年第1季起陆续投资。华邦电去年第4季每股纯益0.23元,创近7季高点,全年每股纯益0.81元,将于下周二(7日)召开法说会,说明今年营运展望。

  华邦电在证交所要求下,去年封关日提早公布自结财报,去年12月税前盈余2.4亿元,税后纯益2.22亿元,每股纯益0.06元;合计去年第4季营收107.75亿元,税前盈余9.88亿元,税后纯益8.71亿元,每股纯益0.23元,较第3季0.18元增加,创7季来的高点,表现优于预期。

  华邦电去年资本支出预估值为85亿元,主要作为扩充产能之用,实际资本支出金额将在2月7日的法说会时公布,预估今年资本支出可望小幅增加,约在百亿元以内。

  华邦电是DRAM、NAND Flash、NOR Flash三大存储器供应商,主攻利基型DRAM市场,去年下半年标准型DRAM价格大涨,同时也推升利基型DRAM价格上扬,去年第4季涨幅达10%,市场推估今年第1季还会再涨10-15%。

  华邦电去年第4季受惠需求热络,产能吃紧,目前月产能4.3万片满载运作,台湾地区台中厂增扩无尘室设备与新厂房,主要生产节能、资安及车用相关应用产品,预计今年3月投片;在新产能加入下,月产能可扩增至5万片,新产能投产效益预计可在第3季贡献营收;另外,自主开发的38纳米制程也在去年内部验证通过,是台湾地区第一家自主开发纳米级存储器的厂商,预计在今年第1季产出。



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