华邦电通过资本支出11.4亿新台币 Q1陆续投资
来源:钜亨网 作者:--- 时间:2017-02-04 10:48
华邦电3日董事会核准11.39亿元(新台币,下同)资本支出,作为购置设备之用,以因应生产及营运需求,资金来源以自有资金及银行融资为主,预计自今年第1季起陆续投资。华邦电去年第4季每股纯益0.23元,创近7季高点,全年每股纯益0.81元,将于下周二(7日)召开法说会,说明今年营运展望。
华邦电在证交所要求下,去年封关日提早公布自结财报,去年12月税前盈余2.4亿元,税后纯益2.22亿元,每股纯益0.06元;合计去年第4季营收107.75亿元,税前盈余9.88亿元,税后纯益8.71亿元,每股纯益0.23元,较第3季0.18元增加,创7季来的高点,表现优于预期。
华邦电去年资本支出预估值为85亿元,主要作为扩充产能之用,实际资本支出金额将在2月7日的法说会时公布,预估今年资本支出可望小幅增加,约在百亿元以内。
华邦电是DRAM、NAND Flash、NOR Flash三大存储器供应商,主攻利基型DRAM市场,去年下半年标准型DRAM价格大涨,同时也推升利基型DRAM价格上扬,去年第4季涨幅达10%,市场推估今年第1季还会再涨10-15%。
华邦电去年第4季受惠需求热络,产能吃紧,目前月产能4.3万片满载运作,台湾地区台中厂增扩无尘室设备与新厂房,主要生产节能、资安及车用相关应用产品,预计今年3月投片;在新产能加入下,月产能可扩增至5万片,新产能投产效益预计可在第3季贡献营收;另外,自主开发的38纳米制程也在去年内部验证通过,是台湾地区第一家自主开发纳米级存储器的厂商,预计在今年第1季产出。
关注电子行业精彩资讯,关注华强资讯官方微信,精华内容抢鲜读,还有机会获赠全年杂志
关注方法:添加好友→搜索“华强微电子”→关注
或微信“扫一扫”二维码
- •兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,突破性读取速度,助力应用快速启动2025-04-15
- •客户接受涨价要求!DRAM 价格连三个月上涨2024-02-19
- •南亚科技:DRAM可能供不应求,下半年有望转盈2024-01-11
- •机构:Q4三星电子DRAM业务将扭亏为盈,DS部门亏损收窄2023-12-22
- •二季度DRAM出货量环比大涨:三星增长20%、SK海力士增长50%!2023-05-24
- •TrendForce:预计 2022-2025 年 NAND Flash 年增长率均低于 30%2022-12-27
- •IC Insights:预计下半年 DRAM 营收环比大降 40%,全年营收下降 18%2022-11-22
- •报告称三星电子 DRAM 市场份额创 8 年来新低2022-11-09
- •SK 海力士宣布开发出迄今最快 DDR5 DRAM 内存,速度达 6400 Mbps2022-10-25
- •市场预估 Q4 内存 DRAM 降价 15% 左右,DDR5 价格更接近 DDR42022-10-19