华邦电通过资本支出11.4亿新台币 Q1陆续投资

　　华邦电3日董事会核准11.39亿元(新台币，下同)资本支出，作为购置设备之用，以因应生产及营运需求，资金来源以自有资金及银行融资为主，预计自今年第1季起陆续投资。华邦电去年第4季每股纯益0.23元，创近7季高点，全年每股纯益0.81元，将于下周二(7日)召开法说会，说明今年营运展望。

　　华邦电在证交所要求下，去年封关日提早公布自结财报，去年12月税前盈余2.4亿元，税后纯益2.22亿元，每股纯益0.06元;合计去年第4季营收107.75亿元，税前盈余9.88亿元，税后纯益8.71亿元，每股纯益0.23元，较第3季0.18元增加，创7季来的高点，表现优于预期。

　　华邦电去年资本支出预估值为85亿元，主要作为扩充产能之用，实际资本支出金额将在2月7日的法说会时公布，预估今年资本支出可望小幅增加，约在百亿元以内。

　　华邦电是DRAM、NAND Flash、NOR Flash三大存储器供应商，主攻利基型DRAM市场，去年下半年标准型DRAM价格大涨，同时也推升利基型DRAM价格上扬，去年第4季涨幅达10%，市场推估今年第1季还会再涨10-15%。

　　华邦电去年第4季受惠需求热络，产能吃紧，目前月产能4.3万片满载运作，台湾地区台中厂增扩无尘室设备与新厂房，主要生产节能、资安及车用相关应用产品，预计今年3月投片;在新产能加入下，月产能可扩增至5万片，新产能投产效益预计可在第3季贡献营收;另外，自主开发的38纳米制程也在去年内部验证通过，是台湾地区第一家自主开发纳米级存储器的厂商，预计在今年第1季产出。

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