供给吃紧状况持续 2017存储器市场将缺货一整年
来源:中时电子报 作者:--- 时间:2017-03-09 10:35
存储器市场在去年下半年已供给吃紧,今年以来缺货持续恶化,系统厂及ODM/OEM厂不得不提高采购价格并扩大下单,以避免下半年旺季到来时,因缺DRAM或NAND Flash而影响出货。
近几年存储器厂没有太大的扩产动作,以DRAM市场来说,三星、SK海力士、美光从2015年以来的“位元出货”维持成长,主要是靠制程由30纳米微缩到20纳米或1x纳米来达标。但是,透过制程微缩,会导致产能自然减损,如生产30纳米DRAM且月产能达12万片的12寸厂,若完全微缩到20纳米,单片晶圆的同容量颗粒产出虽可提高5成以上,但月产能将降至10万片左右。
在产能成长有限下,需求端的成长却持续加速,主要动能来自于装置搭载量的跳跃增加。
以笔电来说,去年以前因受制微软Win 10权利金的收取方式,OEM厂只愿搭配4GB DRAM模组,但微软去年底改变权利金收取规定后,厂商就从第4季起改推改搭载8GB DRAM模组的机种。
此外,智能手机的Mobile DRAM搭载容量,也是跳跃式成长。在双镜头、影音串流及人工智能相关应用等规格不断推陈出新下,单机搭载容量由去年平均的3~4GB,至今年已成长至5~6GB,部份旗舰机种更直接搭载8GB。
在NAND Flash市场,去年下半年以来最大的产能成长瓶颈,在于上游原厂在转换3D NAND时良率不佳。由于盖一座月产能达6万片以上的新NAND Flash厂,投资额超过80亿美元,包括三星、东芝及西数、SK海力士、美光及英特尔等四大阵营,都是移转2D NAND产能来生产3D NAND。也由于2D NAND的投片量减少,3D NAND产出良率不佳,导致NAND Flash市场位元成长停滞。
但在需求上,单机搭载容量同样出现大跃进,如笔电去年起大量以固态硬盘(SSD)取代传统硬盘(HDD),去年初SSD搭载主流为128GB,去年底已成长至256GB,今年以来卖最好的电竞笔电更直接搭载512GB。
智能手机的搭载容量同样倍数成长,如2015年的iPhone主流机种搭载64GB,但去年已提高至128GB,还推出内建256GB的高端机种。不仅如此,中国品牌如华为、OPPO、vivo等也向iPhone主流存储容量靠拢,在高端机种的行动式NAND Flash搭载量主流,已从32/64GB攀升至64/128GB,也带动中低端机种的搭载量上升。
由于存储器厂今年的资本支出集中在3D NAND的转换上,产能要等到第4季才会开出,DRAM则几乎没有扩产动作,只是加快1x/1y纳米的微缩。因此,存储器今年会缺一整年,价格看来也会逐季调涨。
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