英特尔10纳米制程将优先生产3D NAND Flash

英特尔10纳米制程将优先生产3D NAND Flash

　　之前，芯片大厂英特尔(英特尔)在中国举行的“尖端制造大会”上，正式向大家展示了藉由最新的10纳米制程技术所生产的晶圆，并且表示由10纳米制程技术所生产的Cannon Lake处理器将会在2017年年底之前开始量产。

　　只是，现在有消息透露，首批进入到市场的英特尔 10纳米制程技术产品，将不会是大家期待的CPU，而是目前市场价格高涨的NAND Flash快闪存储器。

　　根据业界人士透露，英特尔计划在自家最新的64层3D NAND Flash快闪存储器上使用最新的10纳米制程技术。至于为何在3D NAND Flash快闪存储器上首先使用新制程技社，很可能是因为NAND Flash快闪存储器的结构相对简单，基本上就是大量同类电晶体的堆积。

　　相较之下，CPU处理器的架构就显得复杂多了。而就由使用新制程技术来生产，复杂性也是关系成功与否的重要风险之一，而这也是英特尔在14纳米制程、10纳米制程上屡屡延后推出的一项主要因素。

　　而依照英特尔的说法，10纳米制程技术使用了FinFET(鳍式场效应电晶体)、Hyper Scaling(超缩微)技术，可将电晶体密度提升2.7倍，结果自然可以大大缩小芯片面积，对NAND Flash快闪存储器的设计来说，当然就能极大地提升容量。

　　不过，目前还不清楚英特尔的10纳米制程NAND Flash快闪存储器的具体生产情况为何，但是可以确认的是，未来该批产品将会首先运用于资料中心的市场，等成本下降之后，再推广到消费等级市场领域。

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