贸泽备货Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化镓晶体管

贸泽备货Qorvo 1800W QPD1025L碳化硅基氮化镓晶体管

　　专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo的QPD1025L碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) 晶体管。QPD1025在65 V 电压下的功率为1.8 kW，是业界功率最高的碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 射频晶体管，提供高信号完整性和长覆盖距离，非常适合L波段航空电子设备和敌我识别 (IFF) 应用。

　　GaN技术卓越的性能和可靠性使其非常适合基础设施、国防和航空航天应用，如雷达、通信、 导航以及类似的应用。其性能的增强让设计师可以在提升系统性能的同时，灵活地节省电路板空间和系统成本。

　　贸泽供应的Qorvo QPD1025L是高电子迁移率晶体管 (HEMT)，同时支持脉冲波和连续波 (CW) 操作，以更高效地提供可与硅基LDMOS设备媲美的性能。该器件使用65 V电源轨供电，提供22.5 dB线性增益和 77.2%的典型功率附加效率 (PAE3dB)。QPD1025L晶体管提供内部输入预匹配，简化了外部板匹配，节省了电路板空间。

　　此款符合RoHS标准的无铅晶体管具有配套的QPD1025L评估板。

　　有关QPD1025L晶体管的详细信息，敬请访问www、mouser、com/qorvo-qpd1025l-rf-transistors、

　　有关Qorvo氮化镓射频晶体管的详细信息，敬请访问www、mouser、com/qorvo-gan-rf-transistors、

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