武汉新芯拼3D IC技术！“DRAM教父”高启全接重任定位三大方向

　　近日媒体报道紫光集团旗下武汉新芯近期高层大变动，由台湾“DRAM教父”高启全接下CEO一职，要以3D IC技术为利器，帮助公司大改造，力拼在3年内挂牌上市。如果成真，将成为紫光集团众多转投资公司中，最快挂牌上市的企业。

　　武汉新芯成立于2006年，2008年建成投产。2016年，在武汉新芯基础上，紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司，武汉新芯整体并入长江存储，成为长江存储全资子公司。

　　近日，传武汉新芯在紫光集团内部正在悄悄进行“大变身计划”，有“DRAM教父”之称的紫光集团执行副总裁、长江存储代行董事长高启全，正式接下武汉新芯执行长一职，着手进行全面改造。

　　在12月初，武汉新芯官方新闻稿宣布，基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。武汉新芯的晶圆级集成技术可将三片不同功能的晶圆(如逻辑、存储和传感器等)垂直键合，在不同晶圆金属层之间实现电性互连。与传统的2.5D芯片堆叠相比，晶圆级的三维集成技术能同时增加带宽，降低延时，带来更高的性能与更低的功耗。

　　武汉新芯技术副总裁孙鹏表示：“三维集成技术是武汉新芯继NOR Flash、MCU之外的第三大技术平台。武汉新芯的三维集成技术居于国际先进、国内领先水平，已积累了6年的大规模量产经验，能为客户提供工艺先进、设计灵活的晶圆级集成代工方案。”

　　武汉新芯自2012年开始布局三维集成技术，并于2013年成功将三维集成技术应用于背照式影像传感器，良率高达99%，随后陆续推出硅通孔(TSV)堆叠技术、混合键合(Hybrid Bonding)技术和多片晶圆堆叠技术。

　　重新定位瞄准三大业务

　　孙鹏指出，武汉新芯营运重新定位后的三大方向，分别为3D IC技术、自有品牌NOR Flash及MCU三大块。三片晶圆堆叠技术即属3D IC业务方向。

　　3D IC是一个新的概念，利用许多高级技术实现电路密度的增加和体积的缩小，武汉新芯目前已经开始量产，算是大陆最早量产 3D IC的企业。孙鹏表示，3D IC 技术是 wafer-on-wafer 的接合技术，可以把不同性质和作用的芯片整合在一起，未来可以将不同的半导体元件堆叠在一起，如存储、处理器、传感器、 3D NAND 芯片等。

　　他强调，3D IC 与传统的 2.5D 芯片堆叠技术相比，晶圆级的三维集成技术能同时带、宽增加，降低延时，并且有更高的性能与更低的功耗，非常适合用在 AI 领域。

　　武汉新芯的第二条主轴是 NOR Flash 产品，过往都是做代工，但这一、二年公司策略转变，转型为部分经营自有品牌，部分开放代工。

　　第三条产品线是采用低功耗嵌入式闪存embedded Flash MCU，技术来源是基于 SST 的嵌入式闪存工艺，双方合作始于 2015 年左右，目前也进入 55/50 纳米工艺，应用于物联网、智能卡等产品上，未来会是公司旗下很重要的产品线。

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