SK海力士第7座半导体厂动工 预计2020年正式完成

　　随着NAND Flash快闪存储器及DRAM价格不断下跌，2019年存储器市场将迎接逆风。而为了应付降价导致的损失，包括存储器大厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光都计划减少资本支出。

　　不过，降低成本支出并不意味着他们不再建设工厂了，就在本周，SK Hynix正式开工建设第7座半导体工厂──M16厂，总投资不低于15万亿韩元(约133亿美元)。虽然还没确定最终生产NAND Flash还是DRAM，但是这座晶圆厂确定将会采用最先进的EUV光刻技术。

　　2018年10月份，SK Hynix才刚完成最新的M15工厂兴建，并且在日前正式进入量产，且该工厂是2015年SK Hynix宣布将斥资的46万亿韩元投资计划中的一部分。M15工厂位于韩国忠清南道的清州市，投资额高达15万亿韩元，以生产3D NAND Flash为主，初期以生产现在的72层堆叠3D NAND Flash，2019年开始，就会转到96层堆叠的3D NAND Flash上。

　　至于新动工的M16厂，在本周正式举行开工典礼之后，预计2020年正式完成，总投资额还没确定。不过，也确定不会低于15万亿韩元。其中，基础设施建设就要3.5万亿韩元，占地达30英亩。这座工厂最终会以生产DRAM还是NAND Flash为主，目前尚未确定。对此，SK Hynix表示，要看落成时的市场需求以及工厂的技术水准来决定。

　　虽然，还不确定要生产什么样的产品，不过有一点可以肯定，那就是M16工厂将会用上最先进的EUV光刻技术。事实上，存储器跟逻辑芯片不同，虽然对EUV光刻技术的需求没那么高，不过三星、SK Hynix仍会依计划，在未来使用EUV技术生产存储器。而相对于韩国两大存储器厂的做法，美系厂商美光对EUV使用的态度就显得比较保守。之前曾经宣布，在未来2代的存储器生产中都将不会用到EUV光刻技术。

　　而除了韩国之外，SK Hynix在无锡也有生产DRAM的晶圆厂。无锡厂目前的一期工程产能在每月10万到12万片之间，是全球重要的DRAM芯片基地之一。而SK Hynixy在2018年初期，还宣布将投资86亿美元在无锡建设第2座存储器工厂，预计完成后存储器产能将达到每月20万片。

　　另外，日前有韩国媒体报导，目前韩国政府正在推动大型半导体制造群体，预计在10年内投资超过120万亿韩元，并纳入4家大型半导体工厂及50家上下游材料及设备供应商。其中，SK Hynix就允诺，将依据计划在韩国境内再兴建一座大型半导体工厂。因此，在当前半导体景气面临逆风的状态下，韩系存储器厂的扩张计划将不会有所改变。

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