SK海力士二期存储芯片封装测试项目主体建筑已建成

SK海力士二期存储芯片封装测试项目主体建筑已建成

　　据重庆西永微电园官方消息，目前，SK海力士二期存储芯片封装测试项目1.6万平方米主体建筑已建成，预计6月中旬进行设备安装，三季度陆续投产。

　　图片来源：西永微电园

　　投产后，项目合计产能是现在的2.5倍，芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上, 成为SK海力士海外最大封测基地。

　　SK海力士封测二期项目累计投资12亿美元建设NAND Flash封装测试生产线，2013年5月10日，作为市级重点引进项目，重庆与韩国SK海力士半导体公司签订协议。SK海力士在西永微电园设立SK海力士半导体(重庆)有限公司，投资建设NAND Flash存储芯片封装测试生产线，负责半导体后工序加工服务项目，包括建设芯片封装、测试、模组等生产线。

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