东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

来源:华强电子网 作者: 时间:2020-03-10 15:27

东芝 IGBT 光耦

  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。

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  TLP5231产品示意图

  新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。

  目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。

  通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。

  其他功能包括:在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外,还有UVLO[3]检测,将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

  应用:

  ?IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动)

  ?交流电机和直流无刷电机控制

  ?工业逆变器与不间断电源(UPS)

  ?光伏(PV)电源调节系统

  特性:

  ?内置有源时序控制的双输出,适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。

  ?当检测到过流时,通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。

  ?当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时,故障信号会输出到一次侧。


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