东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦

东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。

　　TLP5231产品示意图

　　新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。

　　目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器，仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流，有助于降低功耗。

　　通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小，TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求，从而简化设计。

　　其他功能包括：在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外，除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外，还有UVLO[3]检测，将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性，能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。

　　应用：

　　?IGBT与功率MOSFET栅极驱动(预驱动)

　　?交流电机和直流无刷电机控制

　　?工业逆变器与不间断电源(UPS)

　　?光伏(PV)电源调节系统

　　特性：

　　?内置有源时序控制的双输出，适用于驱动P沟道和N沟道互补MOSFET缓冲器。

　　?当检测到过流时，通过使用另一个外部N沟道MOSFET实现可配置栅极软关断时间。

　　?当监控集电极电压检测到过流时或UVLO时，故障信号会输出到一次侧。