三星平泽P2新工厂加快投产DRAM，或导入EUV工艺

三星平泽P2新工厂加快投产DRAM，或导入EUV工艺

据韩国媒体Ddaily报道，三星正在加快先进工艺的过渡，位于韩国京畿道平泽P2号工厂正在安装设备，同时建设极紫外光刻（EUV）生产线，计划生产先进的DRAM。

据行业消息称，三星与设备商已签署了设备合同，正在平泽新工厂中安装半导体设备，将用于批量投产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，预估初期月产能约3万片12吋晶圆。

三星2020年第一季度资本支出7.3兆韩元（约60亿美元），其中半导体支出为6.0兆韩元（约49亿美元），同比增长近一倍。三星还在财报中指出，会将重点放在不断增长的服务器DRAM需求上，并通过扩大1Ynm技术迁移来增强成本竞争力，同时推进1znm DRAM的技术发展。但随着电路的物理极限越来越近，改善信号处理速度，降低工作电压和待机电压，提高新技术的DRAM产量，成为三星推进EUV工艺量产的动力。