三星、恩智浦、京瓷、蔡司...半导体海外大厂最新动态

近日，半导体海外大厂动态频频，首先，在扩产上，京瓷斥资4.7亿美元在日本建芯片材料工厂，蔡司SMT扩产DUV产能，NXP确认与台积电和格芯讨论去印度建厂。另外，日本计划增加对Rapidus的支持，三星电子计划开发下一代低温焊料，并且与AMD宣布延长授权协议。

据外媒消息，京瓷周三表示，将投资620亿日元（约4.7亿美元）建立一个新的半导体相关部件的工厂。据悉，新的工厂将在今年晚些时候在日本长崎的谏早市破土动工，该笔资金的使用期限到2029年3月。

京瓷总裁谷本英夫在长崎市的一次新闻发布会上说："我们将占领先进的半导体元件市场，这个市场在中长期内将翻一番。"

公开资料显示，该工程预计在2026年4月前完成，并在第二年开始运营。该工厂将生产用于芯片制造机械的精细陶瓷部件，以及先进半导体的包装材料。预计该工厂在2028财年的产值将达到250亿日元。这将是该公司自2005年在京都县开设绫部工厂以来的第一个国内工厂。

随着半导体节点缩小到几纳米大小，其生产需要越来越复杂的工艺。这就造成了对光刻系统的陶瓷部件的需求不断增长。与金属部件相比，陶瓷具有更强的抗热膨胀和抗腐蚀能力。据悉，京瓷在一系列陶瓷部件方面的全球份额达到了70%-80%。迄今为止，该公司已通过扩大其位于九州岛鹿儿岛县和其他地方的旗舰工厂的产能来应对不断扩大的需求。

据悉，京瓷计划在截止到2026年3月的三年内进行9000亿日元的整体资本支出，这大约是京瓷前三年资本支出的两倍，其中，超越一半的资本支出将用于半导体相关业务。

据外媒消息，近日，三星电子已开始开发用于下一代高科技封装的低温焊接技术，计划到2025年完成技术开发并实现量产。

据悉，焊料是一种用于连接封装基板和半导体芯片管芯的材料。与需要200°C或更高温度的传统焊料不同，使用低温焊料可以降低封装工艺成本和不良率。

此外，4月6日，三星和AMD宣布，已延长双方的战略知识产权授权协议，三星电子将继续获得AMD的Radeon图形IP授权。

三星应用处理器(AP)开发执行副总裁Seogjun Lee表示：“三星与AMD一起革新了移动图形，包括我们最近的合作，在业内首次将光线追踪功能引入移动处理器。利用我们在设计超低功耗解决方案方面的技术诀窍，我们将继续推动移动图形领域的持续创新。”

早在2019年，双方就签署了首个协议，允许AMD将其基于RDNA图形架构的定制图形IP授权给三星，用于智能手机和其他移动设备。从那时起，三星一直在为其Galaxy智能手机的Exynos处理器使用AMD Radeon图形解决方案。

三星官方财报数据显示，该公司2022年实现营业利润43.38万亿韩元，同比下滑15.99%；销售额302.23万亿韩元，同比增长8.09%；净利润55.65万亿韩元，同比增加39.46%。据悉，三星将于本周五披露3月季度的初步业绩。面对业界同行美光、SK海力士、铠侠等均减产的举动，三星一直坚持扩产增资，当前半导体周期下行，三星盈利持续不及预期，接下来它将采取何种措施呢？

据外媒消息，近日，为半导体光刻设备制造光学元件的卡尔蔡司半导体制造技术公司（以下简称“蔡司SMT”）将在其位于德国黑森州韦茨拉尔（Wetzlar）的工厂开始建设新的光学元件工厂，以生产DUV（深紫外）光刻设备。它计划于2025年完成。

公开资料显示，蔡司SMT是德国领先的光学设备制造商Carl Zeiss（卡尔蔡司）的子公司，主要为半导体光刻设备提供光学元件和光掩模系统以及过程控制解决方案。据悉，荷兰半导体曝光设备制造商ASML所用的光学元件也由蔡司SMT提供。蔡司SMT表示，“全球80%以上的微芯片都是使用我们的光学元件制造的。”

据悉，蔡司SMT的韦茨拉尔工厂已经为DUV 光刻设备制造光学元件超过20 年，随着对半导体制造设备需求的增加，其现有的制造能力已经达到极限，所以蔡司唯有扩建。据介绍，蔡司SMT新工厂的总生产面积将超过12,000平方米，将额外创造150个工作岗位。该工厂将为最新的DUV光刻设备制造和开发光学元件。

该公司还于2023年3月22日宣布，将扩建位于德国黑森州罗斯多夫的研发基地。它计划到2026年底投资超过2000万欧元。该中心专注于纳米结构研究和开发以纳米精度修复光掩模缺陷的系统。

据印度经济时报报道，恩智浦半导体（NXP）正与台积电和格芯（Globalfoundries）等代工合作伙伴讨论在印度建立芯片制造厂的事宜。报道称，恩智浦（NXP）总裁兼CEO库尔特·西弗斯（Kurt Sievers）表示，他告诉印度总理莫迪，他将“强烈推荐”印度作为恩智浦代工合作伙伴的未来选址。

据悉，恩智浦正扩大在印度的研发和芯片设计。其在印度诺伊达、班加罗尔、海得拉巴和普那都设有工厂，共有约4000名工程师。

目前，印度在汽车、工业和医疗保健等领域有着强大的产品制造能力，该国一直在推动芯片制造的进入。

据印度媒体此前报道，印度卡纳塔克邦(Karnataka) 信息技术、电子和技能发展部长Ashwath Narayan表示，如果可以按时获批，ISMC Digital将在卡纳塔克邦斥资30亿美元建设一座晶圆厂，预计将在几个月内开工。

该厂为印度第一家芯片制造厂，原定计划最快于今年的2月开始建设，从当前动态来看，该计划似乎被推迟。

据外媒消息，日本经济产业大臣西村康稔承诺，日本将增加对芯片制造商Rapidus Corp的财政支持，因为该公司致力于开发尖端半导体，此类组件的生产对日本在人工智慧和自动驾驶领域取得优异成绩至关重要。

公开资料显示，Rapidus是由索尼集团和NEC等8家科技大厂去年在东京共同投资的合资企业，目标是到2025年在日本制造出尖端的2纳米芯片。日本此前已表示将向Rapidus投资700亿日元（约5.25亿美元）。此计划由尖端半导体科技中心（the Leading-edge Semiconductor Technology Center，LSTC）统筹，日本10年间将通过LSTC投资Rapidus达347亿美元。

今年2月末消息显示，Rapidus的社长小池淳义在与北海道知事铃木直道会面后表示，Rapidus敲定了在北海道建设工厂的方针，预计候选地为北海道千岁市的工业园区。

另据业界媒体报道，Rapidus预定2025上半年建造一条2纳米原型产线，希望2025年追上开始量产2纳米的台积电与其他世界级半导体对手。

不过要达成目标，需约7万亿日元（约540亿美元）资金，才能2027年左右开始量产先进逻辑芯片。因此，日本政府通过LSTC投资金额可能会更高，以满足将来需求。

不过，业界一些人士怀疑Rapidus能否在如此短的时间内实现2纳米芯片生产，因为该技术比三星电子和台积电等领先企业目前提供的技术更先进。