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X-FAB首创180奈米200V MOS SOI工艺
X-FABSiliconFoundries日前发表XT018，世界首创180奈米200VMOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(la
2012-11-12 09:23
X-FABSiliconFoundries日前发表XT018，世界首创180奈米200VMOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(la
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