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业内最小 Vishay TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET
2013年12月5日，VishayIntertechnology,Inc宣布，推出业界首款采用2.4mmx2.0mmx0.4mmCSPMICROFOOT封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFETP沟道GenIII功
2013-12-30 09:58